[发明专利]AMOLED显示装置有效
申请号: | 201410831200.1 | 申请日: | 2014-12-26 |
公开(公告)号: | CN105789251B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 赵海廷;魏朝刚 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;G09G3/3225 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | amoled 显示装置 | ||
本发明揭示了一种AMOLED显示装置,包括基板,在基板上依次层叠设置阳极、显示单元和阴极,所述显示单元周边向基板边缘依次设有板载栅极驱动电路和驱动电压负极线,所述显示装置还包括阳极金属,所述阳极金属跨过所述板载栅极驱动电路连接所述驱动电压负极线和阴极,所述阳极金属在垂直于基板方向与所述板载栅极驱动电路投影重叠的部分镂空。本发明将GIP电路上方的阳极金属做成镂空的,使得大部分的GIP电路暴露出来,只有很小面积被阳极金属覆盖,能够从正反两面均可清晰看到GIP电路,便于不良分析和测试。同时有效降低了阴极与GIP电路短路情况的发生。
技术领域
本发明涉及有机发光显示领域,特别是涉及一种AMOLED显示装置。
背景技术
随着平面显示器技术的蓬勃发展,有源矩阵有机发光二极管(Active MatrixOrganic Light Emitting Diode,AMOLED)显示装置得到了广泛的应用。其与传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)相比,除了更轻薄外,更具有自发光、低功率消耗、不需要背光源、无视角限制及高反应速率等优良特性,已成为目前平面显示器技术中的主流。
图1和图2示出了一种常见的AMOLED显示装置。包括基板5,依次形成于所述基板5上的阳极(图中未示出)、显示单元和阴极4,在显示单元周边向基板5边缘依次形成有板载栅极驱动电路(Gate in panel,GIP电路)3和驱动电压负极线(Vss线)1,以及连接阴极4和Vss线1的阳极金属2,阳极金属2跨过GIP电路3连接阴极4和Vss线1,这样实现了阴极4和Vss线1的连接。
为了减小阴极4和阳极金属2的搭接电阻,阳极金属2一般做的较宽,会将整个GIP电路3覆盖,由于阳极金属2是不透明的,因此通过正面无法看到GIP电路3,只能从背面观看GIP电路3,这给不良解析和信号测试带来很大的不便。
同时由于GIP电路3的线路复杂,且GIP电路3上面有整面的阴极4覆盖,若有杂质微粒的存在,容易造成两者的导通,很容易导致各种显示异常,降低良率。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种AMOLED显示装置,以便于进行不良分析和测试,同时降低阴极和GIP电路短路的风险。
为解决上述技术问题,本发明提供一种AMOLED显示装置,包括基板,在基板上依次层叠设置阳极、显示单元和阴极,所述显示单元周边向基板边缘依次设有板载栅极驱动电路和驱动电压负极线,所述显示装置还包括阳极金属,所述阳极金属跨过所述板载栅极驱动电路连接所述驱动电压负极线和阴极,所述阳极金属在垂直于基板方向与所述板载栅极驱动电路投影重叠的部分镂空。
可选的,对于所述的AMOLED显示装置,所述镂空部分包括多条间隙排列的金属线。
可选的,对于所述的AMOLED显示装置,所述金属线的宽度小于金属线之间间隙的宽度,所述金属线的长度大于所跨过的板载栅极驱动电路的宽度。
可选的,对于所述的AMOLED显示装置,所述金属连线平行排列,在板载栅极驱动电路走线稀疏处上方的金属连线比板载栅极驱动电路走线密集处上方的金属连线多。
可选的,对于所述的AMOLED显示装置,所述金属线位于所述板载栅极驱动电路走线稀疏处上方。
可选的,对于所述的AMOLED显示装置,所述显示单元包括多行像素,相邻金属线之间对应显示单元的一行像素。
可选的,对于所述的AMOLED显示装置,所述显示单元包括多行像素,相邻金属线之间对应显示单元的2-10行像素。
可选的,对于所述的AMOLED显示装置,所述阳极金属与所述阳极同时形成位于同一层,所述阳极金属与所述驱动电压负极线之间间隔介质层,所述介质层上形成有过孔,所述阳极金属通过所述过孔与所述驱动电压负极线连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的