[发明专利]一种显示面板及其制作方法和显示装置在审
申请号: | 201410831443.5 | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN104681592A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 王永志;罗丽媛 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 路凯;崔雪青 |
地址: | 200120 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,包括包含多个薄膜晶体管的阵列基板以及位于所述阵列基板上的像素定义层和由所述像素定义层包围的有机发光结构,所述有机发光结构为顶发射结构,其特征在于,所述显示面板还包括:
光阻挡层,位于所述阵列基板和所述像素定义层之间,所述光阻挡层阻挡穿过所述像素定义层的光照射到所述薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有机发光结构包括位于所述阵列基板上的反射阳极;
所述光阻挡层与所述反射阳极位于同一层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述光阻挡层和所述反射阳极采用相同的材料,且由同步的制作工艺形成。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述光阻挡层的厚度与所述反射阳极的厚度相同。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述有机发光结构还包括有机发光层和半透明阴极;其中,
所述有机发光层位于所述反射阳极上;以及
所述半透明阴极位于所述有机发光层上。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光阻挡层阻挡光的波段为380~780nm。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光阻挡层的材料为高反射率材料。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述高反射率材料的反射率为不小于90%。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述高反射率材料为银或铝。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光阻挡层的材料为高吸收率材料。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述高吸收率材料的吸收率为不小于90%。
12.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述高吸收率材料为铬、铬氧化物、铬氮化物和黑色树脂中的一种。
13.根据权利要求1-12任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:面状的平坦化层,位于所述光阻挡层和所述阵列基板之间;
盖板玻璃,与所述阵列基板相对设置,并通过设置在所述像素定义层上的支撑体与所述像素定义层隔开。
14.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-13中任一项所述的显示面板。
15.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
形成阵列基板,其中,所述阵列基板中形成有多个薄膜晶体管;
在所述阵列基板上形成有机发光结构和包围所述有机发光结构的像素定义层,其中,所述有机发光结构为顶发射结构,所述阵列基板和所述像素定义层之间形成有光阻挡层,所述光阻挡层阻挡穿过所述像素定义层的光照射到所述薄膜晶体管。
16.根据权利要求15所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在所述阵列基板上形成有机发光结构包括:
在所述阵列基板上形成所述有机发光结构的反射阳极。
17.根据权利要求16所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述光阻挡层与所述反射阳极形成在同一层。
18.根据权利要求17所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述光阻挡层与所述反射阳极采用相同的材料,且通过同步的制作工艺形成。
19.根据权利要求16所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在所述阵列基板上形成有机发光结构还包括:
在所述反射阳极上依次形成有机发光结构的有机发光层和半透明阴极。
20.根据权利要求15所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述光阻挡层采用高反射率材料或者高吸收率材料来制作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的