[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件

说明书

技术领域

本申请涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件。

背景技术

通常使用于汽车和工业电子装置的功率晶体管需要低的导通电阻(R_on)，同时获得高的电压阻挡能力。例如，MOS(“金属氧化物半导体”)功率晶体管应该是能够胜任的，依赖于阻挡几十到几百或几千伏的漏极至源极电压V_ds的应用需要。MOS功率晶体管通常导通非常大的电流，在约2至20V的典型的栅极-源极电压下可以高至几百安培。

正在试图开发用于功率晶体管的新构思。尤其正在寻找具有增加的沟道宽度的功率晶体管。

发明内容

根据一实施例，形成半导体器件的方法包括在具有主表面的半导体衬底中形成晶体管。该方法包括形成源极区域和漏极区域，形成布置在源极区域和漏极区域之间的沟道区域和漂移区，源极区域和漏极区域沿着平行于主表面的第一方向布置。该方法进一步包括形成栅极沟槽以及在栅极沟槽中形成栅极电极。该方法附加地包括在主表面中形成副沟槽，副沟槽在与第一方向相交的第二方向上延伸。使用经由副沟槽的侧壁引入掺杂物的掺杂方法形成源极区域。

根据一实施例，半导体器件包括在具有主表面的半导体衬底中的晶体管。该晶体管包括源极区域和漏极区域、在源极区域和漏极区域之间的沟道区域、在主表面中布置在邻近的沟道区域之间的栅极沟槽、在栅极沟槽中的栅极电极和在主表面处的本体接触区域，源极区域和漏极区域中的每个区域被布置在主表面处，本体接触区域接触沟道区域。源极区域和本体接触区域沿着与第一方向交叉的第二方向交替地布置。

根据另外的实施例，集成电路包括如上所定义的半导体器件。

本领域的技术人员一旦阅读下文的详细描述并且观看附图，将认识到附加的特征和优点。

附图说明

附图被包括以提供本发明的实施例的进一步的理解并且被并入和组成本说明书的一部分。附图图示了本发明的实施例，并且和说明一起用来解释原理。本发明的其他实施例和众多预期的优点将会被轻易地领会，因为通过参考下面的详细描述它们变得更加易懂。附图的元件不一定相对彼此成比例。相同的附图标记标示相应的类似的部件。

图1A示出了根据一实施例的半导体器件的平面视图；

图1B示出了图1A所示的半导体器件的第一截面视图；

图1C示出了图1A所示的半导体器件的在与图1B的截面视图的方向垂直的方向上的截面视图；

图1D示出了图1A所示的半导体器件的另一部分的截面视图；

图2A示出了进行根据一实施例的方法时的半导体器件的截面视图；

图2B示出了衬底在进行进一步的加工步骤之后的截面视图；

图2C示出了衬底在进行进一步的加工步骤之后的截面视图；

图2D示出了半导体衬底在进行进一步的加工步骤之后的截面视图；

图2E示出了衬底在进行进一步的加工步骤之后的截面视图；

图3A图示了进行了根据另一实施例的方法时衬底的截面视图；

图3B示出了进行另一方法时衬底的截面视图；

图4A示出了进行根据又一实施例的方法时半导体衬底的截面视图；

图4B示出了根据另一实施例的半导体器件的截面视图；

图5A示出了根据一实施例的半导体器件的平面视图；

图5B示出了根据另一实施例的半导体器件的截面视图；

图6A示出了根据另一实施例的半导体器件的平面视图；

图6B示出了根据一实施例的半导体器件的截面视图；

图6C示出了进行根据一实施例的方法时的衬底的截面视图；

图6D示出了进行根据一实施例的方法时的半导体器件的平面视图；

图6E示出了进行进一步的加工步骤之后的半导体器件的平面视图；

图6F示出了进行进一步的加工步骤之后的半导体器件的平面视图；

图7示出了根据一实施例的方法的流程图；

图8A示出了根据另一实施例的方法的流程图；以及

图8B示出了根据又一实施例的方法的流程图。

具体实施方式