[发明专利]用于形成薄膜的循环沉积法、半导体制造方法和半导体器件

权利要求书

1.一种用于形成薄膜的循环沉积法，所述方法包括：

通过将硅前体注入装有物体的室内，将硅沉积在所述物体上，并实施第一吹扫，将所述硅前体的未反应部分和反应副产物从所述室的内部除去，从而在所述物体上形成硅薄膜；

通过在所述室内形成等离子体气氛并供应具有氢原子的第一反应源，对所述硅薄膜的表面进行预加工；以及

通过在所述室内形成等离子体气氛并供应具有一个或多个氧原子、一个或多个氮原子或它们的混合物的第二反应源，将所述硅薄膜形成为含硅的绝缘膜。

2.权利要求1的用于形成薄膜的循环沉积法，其中所述第一反应源是选自如下的一种或多种气体：NH₃和H₂。

3.权利要求1或2的用于形成薄膜的循环沉积法，其中所述第二反应源是选自如下的一种或多种气体：O₂、O₃、N₂和NH₃。

4.权利要求1或2的用于形成薄膜的循环沉积法，其中所述预加工持续0.05秒～10秒。

5.权利要求1或2的用于形成薄膜的循环沉积法，其中在0.01托～10托的室压力条件下实施所述预加工，其中所述物体的温度为50℃～600℃。

6.权利要求1或2的用于形成薄膜的循环沉积法，其中在0.01托～10托的室压力条件下实施所述硅薄膜的形成和所述绝缘膜的形成。

7.权利要求1或2的用于形成薄膜的循环沉积法，其中所述硅前体包含氨基硅烷或氯硅烷中的任意一种。

8.权利要求1或2的用于形成薄膜的循环沉积法，其中所述含硅的绝缘膜为氧化硅膜或硅绝缘膜。

9.权利要求1或2的用于形成薄膜的循环沉积法，其中所述预加工或所述绝缘膜的形成包括：注射选自如下的一种或多种引燃气体：Ar、He、Kr和Xe。

10.权利要求9的用于形成薄膜的循环沉积法，其中所述第一反应源以10sccm～2000sccm的量注射，

所述引燃气体以100sccm～3000sccm的量注射，以及

所述第二反应源以10sccm～500sccm的量注射。

11.权利要求1的用于形成薄膜的循环沉积法，其中所述用于形成薄膜的循环沉积法还包括：在形成所述绝缘膜之后，实施第二吹扫以从所述室的内部除去反应副产物，以及

重复实施所述硅薄膜的形成，所述预加工，所述绝缘膜的形成和所述第二吹扫。

12.权利要求1的用于形成薄膜的循环沉积法，其中所述硅薄膜的形成包括：将所述沉积和所述第一吹扫重复1次～10次。

13.权利要求1的用于形成薄膜的循环沉积法，其中所述硅薄膜的形成包括：使用无定形硅或具有多晶特性的多晶硅形成所述硅薄膜。

14.一种半导体制造方法，其包括通过权利要求1和2中一项的用于形成薄膜的循环沉积法来沉积绝缘膜。

15.一种半导体器件，所述半导体器件包含通过权利要求1和2中一项的用于形成薄膜的循环沉积法沉积的绝缘膜，其特征在于，

所述绝缘膜具有0.4～0.6的湿腐蚀速度。