[发明专利]一种过流保护电路及过流保护装置

权利要求书

1.一种过流保护电路，其特征在于：设置有开关管、电阻分压网络、采样电阻和处理器；所述采样电阻串联在用电负载的负极连通地线或者电源负极的供电线路中；所述电阻分压网络的一端连接直流电源，另一端连接采样电阻与用电负载连通的一侧，电阻分压网络的分压节点连接开关管的控制极，开关管的开关通路一端接地，另一端连接处理器的中断接口；配置所述采样电阻和电阻分压网络中分压电阻的阻值，使流过所述供电线路的电流在低于设定的安全阈值时，所述分压节点处的电压小于所述开关管的导通压降，仅在流过所述供电线路的电流大于等于所述安全阈值时，使所述分压节点处的电压大于等于所述开关管的导通压降，控制开关管导通，触发处理器进入中断，以输出控制信号切断用电负载的供电回路，对用电负载进行过流保护。

2.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于：所述采样电阻的一端连接地线或者电源的负极，另一端连接所述的电阻分压网络；所述采样电阻的阻值小于1Ω。

3.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于：所述处理器的中断接口通过上拉电阻连接所述的直流电源。

4.根据权利要求3所述的过流保护电路，其特征在于：所述开关管为NPN型三极管，所述三极管的基极连接所述电阻分压网络的分压节点，发射极接地，集电极连接所述处理器的中断接口，并通过所述的上拉电阻连接直流电源。

5.根据权利要求3所述的过流保护电路，其特征在于：所述开关管为N沟道MOS管，所述MOS管的栅极连接所述电阻分压网络的分压节点，源极接地，漏极连接所述处理器的中断接口，并通过所述的上拉电阻连接直流电源。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的过流保护电路，其特征在于：所述处理器在进入中断后，输出控制信号控制一开关动作，以切断所述用电负载的供电回路。

7.根据权利要求6所述的过流保护电路，其特征在于：所述开关的开关通路串联在所述用电负载的负极与所述的采样电阻之间，所述开关的控制极接收处理器输出的所述控制信号。

8.根据权利要求7所述的过流保护电路，其特征在于：所述开关为N沟道MOS管，所述N沟道MOS管的栅极接收所述处理器输出的控制信号，漏极连接所述用电负载的负极，源极连接所述的采样电阻；在所述N沟道MOS管的栅极与源极之间跨接有配置电阻。

9.根据权利要求7所述的过流保护电路，其特征在于：所述开关为单向可控硅，所述可控硅的触发极接收所述处理器输出的控制信号，阳极连接所述用电负载的负极，阴极连接所述的采样电阻。

10.一种过流保护装置，其特征在于：设置有如权利要求1至9中任一项所述的过流保护电路，所述过流保护装置连接在用电负载的负极与电源的负极或者地线之间。