[发明专利]基准电压温度系数校准电路和方法有效
| 申请号： | 201410833639.8 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104460811A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李昊煚 | 申请（专利权）人： | 昆腾微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100195 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基准 电压 温度 系数 校准 电路 方法 | ||
1.一种基准电压温度系数校准电路，其特征在于，包括：
运算放大器，包括输入对管、负载对管、偏置电流源，所述运算放大器的反相输入端与所述运算放大器的输出端相连；
可调电流模块，与所述负载对管并联连接，所述可调电流模块用于产生调整电流，所述调整电流用于对流过所述输入对管的失调电流进行调整，其中，所述调整电流与所述偏置电流源的电流和绝对温度的阶数相关。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述可调电流模块包括一个以上并联连接的可调电流源。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述可调电流模块还包括开关，通过所述开关控制所述可调电流源的接通或断开。
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述输入对管为NMOS管或NPN管，所述负载对管为PMOS管或PNP管；或者
所述输入对管为PMOS管或PNP管，所述负载对管为NMOS管或NPN管。
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述输入对管为NMOS管或PMOS管，所述输入对管工作在亚阈值区域。
6.一种基准电路校准方法，其特征在于，包括：
提供运算放大器，所述运算放大器包括输入对管、负载对管、偏置电流源，所述运算放大器的反相输入端与所述运算放大器的输出端相连；
提供可调电流模块，所述可调电流模块与所述负载对管并联连接，所述可调电流模块产生调整电流，所述调整电流对所述输入对管的失调电流进行调整，其中，所述调整电流与所述偏置电流源的电流和绝对温度的阶数相关。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述可调电流模块包括一个以上并联连接的可调电流源。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述可调电流模块还包括开关，通过所述开关控制所述可调电流源的接通或断开。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述输入对管为NMOS管或NPN管，所述负载对管为PMOS管或PNP管；或者
所述输入对管为PMOS管或PNP管，所述负载对管为NMOS管或NPN管。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述输入对管为NMOS管或PMOS管，所述输入对管工作在亚阈值区域。
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