[发明专利]阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201410834652.5 申请日: 2014-12-26
公开(公告)号: CN104483792A 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 阙祥灯 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 朱绘;张文娟
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,具体地说,涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展,液晶显示器已经成为最为常见的显示装置。

垂直排列(Vertical Alignment,简称VA)型液晶显示器是一种常见的液晶显示器。目前,为了改善VA型液晶显示器的大视角色偏现象,会将每个像素单元分为主像素区域和次像素区域,再增设分压电容。

如图1和图2所示,分压电容Cdown由公共电极线(Com)3的一部分与分压电极2重叠形成。在显示过程中,先利用驱动扫描线(Gate1)11打开第一晶体管T1和第二晶体管T2,由数据线(Data)4向主像素区域100中的主像素电极(图中未示出)和次像素区域200中的次像素电极(图中未示出)充入相同的电位。然后利用分压扫描线(Gate2)12打开第三晶体管T3,利用分压电容对次像素电极进行分压,使次像素电极的电位低于主像素电极。这样会使次像素区域200的亮度略低于主像素区域100,同时主像素区域100与次像素区域200中液晶分子的偏转角度也不同,从而改善了VA型液晶显示器的大视角色偏现象。

但是,由于公共电极线3和分压电极2都是由金属材料制成,因此分压电容会影响像素单元的开口率。特别是在当前分辨率越来越高,像素单元的面积越来越小的发展趋势下,现有的分压电容对开口率的影响更加明显。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及显示装置,以改善现有技术中分压电容影响像素单元的开口率的技术问题。

本发明提供一种阵列基板,包括若干个像素单元,所述像素单元包括主像素区域、次像素区域、第一分压电容、驱动扫描线和分压扫描线;

所述第一分压电容由分压电极与所述驱动扫描线重叠形成,或由分压电极与所述分压扫描线重叠形成。

进一步的是,所述像素单元中还包括第二分压电容和公共电极线;

所述第二分压电容由所述分压电极与所述公共电极线重叠形成。

优选的是,所述驱动扫描线、所述分压扫描线、所述公共电极线位于同一图层。

进一步的是,所述像素单元中还包括数据线,所述分压电极与所述数据线位于同一图层。

进一步的是,所述像素单元中还设置有第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管;

所述第一晶体管的栅极连接所述驱动扫描线,源极连接所述数据线,漏极连接所述主像素区域中的主像素电极;

所述第二晶体管的栅极连接所述驱动扫描线,源极连接所述数据线,漏极连接所述次像素区域中的次像素电极;

所述第三晶体管的栅极连接所述分压扫描线,源极连接所述次像素电极,漏极连接所述分压电极。

优选的是,所述第三晶体管的漏极和所述分压电极为一体式结构。

本发明还提供一种显示装置,包括彩膜基板和上述的阵列基板。

优选的是,所述显示装置为垂直排列型显示装置。

本发明带来了以下有益效果:本发明提供的阵列基板中,像素单元中的第一分压电容由分压电极与驱动扫描线重叠形成,或由分压电极与分压扫描线重叠形成,而不是由分压电极与公共电极线重叠形成。这样能够减小像素单元中公共电极线的面积,同时也不需要增加驱动扫描线和分压扫描线的面积,从而提高了像素单元的开口率,改善了现有技术中分压电容影响像素单元的开口率的技术问题。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍:

图1是现有的阵列基板中像素单元的示意图;

图2是现有的阵列基板中像素单元的电路图;

图3是本发明实施例一提供的阵列基板中像素单元的示意图;

图4是本发明实施例一提供的阵列基板中像素单元的电路图;

图5是本发明实施例一提供的阵列基板中像素单元的另一实施方式的示意图;

图6是本发明实施例一提供的阵列基板中像素单元的另一实施方式的电路图;

图7是本发明实施例二提供的阵列基板中像素单元的示意图;

图8是本发明实施例二提供的阵列基板中像素单元的电路图;

图9是本发明实施例二提供的阵列基板中像素单元的另一实施方式的示意图;

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