[发明专利]钨酸铋薄膜的制备方法在审
申请号: | 201410834880.2 | 申请日: | 2014-12-29 |
公开(公告)号: | CN104561979A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 李洁;刘灿军;李文章 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | C23C22/54 | 分类号: | C23C22/54 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 秦雪梅;谢伟 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钨酸铋 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种钨酸铋薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将基底置于反应液中发生水热反应在所述基底的表面形成钨酸铋薄膜,其中所述基底为钨板或表面形成有钨层的基板,所述反应液为含铋离子的酸性溶液。
2.根据权利要求1所述的钨酸铋薄膜的制备方法,其特征在于,所述反应液中氢离子浓度为0.2mol/L~10mol/L。
3.根据权利要求1所述的钨酸铋薄膜的制备方法,其特征在于,所述反应液中铋离子浓度为1mmol/L~20mmol/L。
4.根据权利要求1所述的钨酸铋薄膜的制备方法,其特征在于,所述反应液为铋盐的硝酸溶液。
5.根据权利要求4所述的钨酸铋薄膜的制备方法,其特征在于,所述铋盐为硝酸铋、氯化铋、硫酸铋和亚硫酸铋中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的钨酸铋薄膜的制备方法,其特征在于,所述水热反应的温度为80~250℃,所述水热反应的时间为0.5~24小时。
7.根据权利要求1所述的钨酸铋薄膜的制备方法,其特征在于,还包括步骤:将所述钨酸铋薄膜洗涤并干燥。
8.根据权利要求1所述的钨酸铋薄膜的制备方法,其特征在于,所述钨酸铋薄膜中的钨酸铋垂直于基底定向生长。
9.根据权利要求1所述的钨酸铋薄膜的制备方法,其特征在于,所述钨酸铋薄膜的形貌为纳米花状。
10.根据权利要求1所述的钨酸铋薄膜的制备方法,其特征在于,所述钨板的厚度为0.2mm~2mm。
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