[发明专利]一种有机发光显示装置及其制备方法有效
申请号: | 201410835416.5 | 申请日: | 2014-12-26 |
公开(公告)号: | CN104485350B | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 刘嵩 | 申请(专利权)人: | 北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括设置在基板上的像素层,所述像素层包括按阵列排布的若干有机发光二极管,所述有机发光二极管包括依次堆叠设置的阳极层、有机层和第一阴极层,所述有机发光显示装置还包括阴极引线、及设置在所述第一阴极层和所述阴极引线之间的绝缘层,所述绝缘层中设有用于导通第一阴极层和阴极引线的接触孔,其特征在于,所述第一阴极层非开口区域上直接设置有第二阴极层;所述第二阴极层设置于所述接触孔底部,并沿所述接触孔侧壁延伸至所述有机层上部,所述第二阴极层在所述阳极层所在平面上的投影与所述有机层在所述阳极层所在平面上的投影部分重合。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述的第二阴极层的厚度为30nm~200nm。
3.根据权利要求1-2任一所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述第二阴极层为银层或其合金层、铝层或其合金层中的一层或多层的堆叠结构。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述的第一阴极层的厚度为10nm~30nm。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述的第一阴极层为银层或其合金层、铝层或其合金层、碱金属层、碱土金属层、稀土金属层中的一层或多层的堆叠结构。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述有机层包括发光层,还包括空穴注入层、电子阻挡层、空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层、电子注入层中的一层或多层的组合。
7.一种有机发光显示装置的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
在基板上形成阴极引线,在阴极引线上形成绝缘层,同时在所制备的绝缘层上开设接触孔;
在基板上形成若干包括阳极层、有机层和第一阴极层的有机发光二级管,形成像素层,第一阴极层与阴极引线通过接触孔实现导通;
使用开放式遮罩在第一阴极层非开口区域上形成第二阴极层,第二阴极层形成于所述接触孔底部,并沿所述接触孔侧壁延伸至所述有机层上部;
将所述第二阴极层在所述阳极层所在平面上的投影与所述有机层在所述阳极层所在平面上的投影部分重合。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置的制备方法,其特征在于,所述的第二阴极层的厚度为30nm~200nm,所述的第一阴极层的厚度为10nm~30nm。
9.根据权利要求8所述有机发光显示装置的制备方法,其特征在于,所述第二阴极层为银层或其合金层、铝层或其合金层中的一层或多层的堆叠结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的