[发明专利]基于半导体激光器阵列的对输出光进行调制的激光器在审

专利信息
申请号: 201410837009.8 申请日: 2014-12-29
公开(公告)号: CN104466672A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 杨盈莹;林学春;赵亚平;王丽荣;汪楠;牛奔 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/06 分类号: H01S5/06;H01S5/10;H01S5/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 基于 半导体激光器 阵列 输出 进行 调制 激光器
【权利要求书】:

1.一种基于半导体激光器阵列的对输出光进行调制的激光器,包括:

一半导体激光器阵列;

一耦合透镜组,该耦合透镜组位于半导体激光器阵列的输出光路上;

一调制装置,该调制装置位于耦合透镜组之后,位于半导体激光器阵列的输出光路上;

一衍射光栅,该衍射光栅位于调制装置之后,位于半导体激光器阵列的输出光路上,该衍射光栅与半导体激光器阵列输出光路成一预定夹角;

一输出镜,该输出镜位于衍射光栅折射的光路上。

2.根据权利要求1所述的基于半导体激光器阵列的对输出光进行调制的激光器,其中半导体激光器阵列的输出波长为100nm-10μm,工作方式为连续波输出。

3.根据权利要求1所述的基于半导体激光器阵列的对输出光进行调制的激光器,其中耦合透镜组包括:依序排列的快轴准直镜、慢轴准直镜和聚焦透镜,该耦合透镜组对半导体激光器阵列发出的激光进行汇聚,使其聚焦点位于衍射光栅上。

4.根据权利要求1所述的基于半导体激光器阵列的对输出光进行调制的激光器,其中调制装置为调Q元件或倍频元件;该调Q元件为主动调Q元件或被动调Q元件,该调Q元件3的工作方式为电光调Q、声光调Q、可饱和吸收调Q或机械转镜调Q;该倍频元件作用是对基频光进行N倍的频率变换,N为整数,该倍频元件的材料为磷酸二氢铵、磷酸二氢钾、磷酸二氘钾、砷酸二氘铯、砷酸二氢铯、铌酸锂、铌酸钡钠、铌酸钾或周期性极化铌酸锂。

5.根据权利要求4所述的基于半导体激光器阵列的对输出光进行调制的激光器,其中被动调Q元件是可饱和吸收体或半导体可饱和吸收体镜。

6.根据权利要求5所述的基于半导体激光器阵列的对输出光进行调制的激光器,其中可饱和吸收体为Cr4+:YAG、Co:Spinel或V:YAG。

7.根据权利要求1所述的基于半导体激光器阵列的对输出光进行调制的激光器,其中衍射光栅为闪耀光栅,作用是锁定半导体激光器阵列的输出光谱,将上述不同角度入射的激光束经光栅衍射后沿同一方向出射。

8.根据权利要求7所述的基于半导体激光器阵列的对输出光进行调制的激光器,其中衍射光栅是采用透射式光栅或反射式光栅。

9.根据权利要求1所述的基于半导体激光器阵列的对输出光进行调制的激光器,其中输出镜对半导体激光器阵列发出的激光波长具有反射功能,其反射率为0.0001%-99.9999%。

10.根据权利要求2所述的基于半导体激光器阵列的对输出光进行调制的激光器,其中半导体激光器阵列的后腔面镀增透膜。

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