[发明专利]射频LDMOS器件的制造方法

权利要求书

1.一种射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、形成硅衬底表面形成外延层，在外延层中形成P阱，之后生长第一栅介质层；

步骤二、采用光刻刻蚀工艺去除漂移区的形成区域外的所述第一栅介质层、所述漂移区的形成区域的所述第一栅介质层保留；

步骤三、生长第二栅介质层，所述第二栅介质层的厚度小于所述第一栅介质层的厚度；

步骤四、淀积多晶硅并对该多晶硅进行光刻刻蚀形成多晶硅栅，由所述多晶硅栅和其底部的所述第二栅介质层叠加形成射频LDMOS器件的栅极结构；所述多晶硅栅的第二侧面延伸到所述第二栅介质层上方；

步骤五、进行第一次P型离子注入形成沟道区，所述沟道区和所述多晶硅栅的第一侧面自对准；进行第二次N型离子注入形成漂移区，所述漂移区和所述多晶硅栅的第二侧面自对准；进行第三次N型源漏离子注入形成源区和漏区，所述源区位于所述沟道区中并和所述多晶硅栅的第一侧面自对准，所述漏区为所述漂移区中并和所述第二栅介质层的第二侧面自对准；进行第四次P型离子注入形成P+引出区，所述P+引出区位于所述沟道区中且和所述源区接触、用于将所述沟道区引出；采用热退火对所述沟道区、所述漂移区、所述源区、所述漏区和所述P+引出区进行激活和推进，热退火后所述沟道区和所述漂移区分别从两侧延伸到所述多晶硅栅的底部，被所述多晶硅栅所覆盖的所述沟道区表面用于形成沟道；

步骤六、采用淀积和回刻工艺在所述多晶硅栅的侧面形成侧墙；

步骤七、淀积金属硅化物阻挡介质层；

步骤八、对所述射频LDMOS器件区域的所述金属硅化物阻挡介质层和所述第二栅介质层进行回刻，回刻后所述多晶硅栅顶部、所述多晶硅栅第一侧面的侧墙外部以及所述第一栅介质层第二侧面外部的硅露出，步骤一中所述淀积的所述第一栅介质层的厚度要求保证经过步骤六的回刻和步骤八的回刻后仍有保留有一定厚度并将所述漂移区覆盖，从而自对准定义出金属硅化物的形成区域，所述金属硅化物的形成区域为硅露出的区域；

步骤九、淀积金属，进行金属硅化在自对准定义出的所述金属硅化物的形成区域 形成所述金属硅化物。

2.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第一栅介质层的材料为氧化层。

3.如权利要求1或2所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第一栅介质层的厚度在满足能够自对准定义出所述金属硅化物的形成区域的条件下，通过增加所述第一栅介质层的厚度降低所述射频LDMOS器件的栅极和漏极的耦合电容。

4.如权利要求1或2所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第一栅介质层的厚度为300埃至800埃。

5.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第二栅介质层的材料为氧化层。

6.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤六中形成所述侧墙时所淀积的侧墙介质层厚度为400埃至600埃。

7.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤六中形成所述侧墙时所淀积的侧墙介质层依次由叠加的氧化硅和氮化硅组成。

8.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤六中形成所述侧墙时的回刻要求对所述第一栅介质层的损失量小于100埃。

9.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤七中所淀积的所述金属硅化物阻挡介质层的材料为氧化硅。

10.如权利要求1或9所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述金属硅化物阻挡介质层的厚度为300埃至700埃。

11.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤四中所淀积的所述多晶硅的厚度为2500埃至3500埃。

12.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤九所淀积的金属为钨，钛，钴。

13.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤九之后还包括如下步骤：

步骤十、形成法拉第屏蔽层，覆盖在所述多晶硅栅的第二侧面处的台阶结构上，所述法拉第屏蔽层和其底部的所述多晶硅栅之间隔离有屏蔽介质层；

步骤十一、进行深槽刻蚀，所述深槽穿过所述源区、所述沟道区和所述外延层并 进入到所述硅衬底中；在所述深槽中填充金属形成所述深接触孔，所述深接触孔将所述源区、所述沟道区、所述外延层和所述硅衬底电连接；

步骤十二、形成层间膜、接触孔和正面金属层图形。