[发明专利]一种微流控芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410837732.6 申请日: 2014-12-30
公开(公告)号: CN104588137A 公开(公告)日: 2015-05-06
发明(设计)人: 李鑫;汤俊俊;陈宏;葛立凯 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00
代理公司: 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 微流控 芯片 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种微流控芯片,其特征在于从上至上依次设有基底、驱动电极层、介质层、疏水层。

2.如权利要求1所述一种微流控芯片的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

1)以载玻片为基底,对载玻片进行清洗、烘烤、活化等前处理,再依次通过旋涂、前烘、曝光、显影、溅射、剥离形成驱动电极层;

2)在带有驱动电极层的基底上制备介质层;

3)配制疏水薄膜溶液,将制备好的芯片用高温胶带保护好,放置在配好的疏水薄膜溶液中浸泡,取出后冲洗,再用N2吹干,烘烤后,即得疏水层,完成微流控芯片的制备。

3.如权利要求2所述一种微流控芯片的制备方法,其特征在于在步骤2)中,所述在带有驱动电极层的基底上制备介质层是采用真空气相淀积方法。

4.如权利要求3所述一种微流控芯片的制备方法,其特征在于所述真空气相淀积方法是采用溶液旋涂、物理溅射、化学气相淀积。

5.如权利要求2所述一种微流控芯片的制备方法,其特征在于在步骤2)中,所述介质层为派瑞林薄膜,所述派瑞林薄膜可选用1.2~2μm的SU82002、1~3μm的派瑞林薄膜。

6.如权利要求2所述一种微流控芯片的制备方法,其特征在于在步骤3)中,所述疏水薄膜溶液采用硅烷化试剂与醇溶液混合溶液。

7.如权利要求6所述一种微流控芯片的制备方法,其特征在于所述硅烷化试剂选自二氯二甲基硅烷、三甲基三甲氧基硅烷、三甲基氯硅烷、三甲基硅烷基二乙胺、六甲基二硅烷、特丁基二甲基氯硅烷中的一种。

8.如权利要求6所述一种微流控芯片的制备方法,其特征在于所述醇溶液选自乙醇、正己醇、正丁醇、正戊醇、正庚醇、脂肪醇、正十一烷醇、2-甲基-2-丁醇中的至少一种;优选乙醇和正己醇等比。

9.如权利要求2所述一种微流控芯片的制备方法,其特征在于在步骤3)中,所述浸泡的时间为20min;所述冲洗可采用乙醇或丙酮冲洗。

10.如权利要求2所述一种微流控芯片的制备方法,其特征在于在步骤3)中,所述烘烤的温度为90~120℃,烘烤的时间为25~45min。

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