[发明专利]单晶硅基底TFT器件在审
| 申请号： | 201410837858.3 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104681624A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王东平;谢应涛;方汉铿 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 基底 tft 器件 | ||
1.一种单晶硅基底TFT器件的制备方法，其特征在于，通过在单晶硅表面刻蚀出作为源极和漏极基础的硅岛，然后在硅岛表面覆盖至少一层绝缘材料并打孔，再在一层或不同层的绝缘材料上分别制作栅极、源极和漏极，最后将源极、漏极与对应的硅岛相连，组成TFT器件。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的刻蚀采用激光束直接刻蚀。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的刻蚀通过预先在单晶硅表面涂覆保护层后，对保护层进行图形化，再采用离子束刻蚀。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的栅极、源极和漏极的材料采用金属、ITO或其组合。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的成膜方法采用溶液法、热蒸镀、磁控溅射或其组合。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的栅极与源漏极在同一层或不同层。
7.一种根据上述任一权利要求所述方法制备得到的单晶硅基底TFT器件，其特征在于，包括：单晶硅基底、单晶硅基底上的绝缘层、绝缘层上的电极。
8.根据权利要求7所述的单晶硅基底TFT器件，其特征是，所述的单晶硅基底采用P型硅或N型硅来制成不同类型的导电沟道。
9.根据权利要求7所述的单晶硅基底TFT器件，其特征是，所述的绝缘层采用有机或无机材料制成，且绝缘层与单晶硅基底粘附连接。
10.根据权利要求7所述的单晶硅基底TFT器件，其特征是，所述的电极包括：栅极、源极和漏极。
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