[发明专利]量子点的制造方法

权利要求书

1.一种量子点的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤S01，在硅衬底上依次形成电子材料层、第一硬掩模层、第二硬掩模层、第一图形化材料层；

步骤S02，光刻刻蚀所述第一图形化材料层停留在所述第二硬掩模层上，形成第一图形化材料层线条；

步骤S03，在所述第一图形化材料层线条两侧形成第一侧墙，随后去除第一侧墙中间的第一图形化材料层线条；

步骤S04，以所述第一侧墙为掩模刻蚀所述第二硬掩模层，形成第二硬掩模层线条；

步骤S05，在形成有第二硬掩模层线条的硅衬底上形成第二图形化材料层；

步骤S06，光刻刻蚀所述第二图形化材料层停留在所述第一硬掩模层上，形成与所述第二硬掩模层线条相交的第二图形化材料层线条；

步骤S07，在所述第二图形化材料层线条两侧形成第二侧墙，随后去除第二侧墙中间的第二图形化材料层线条；

步骤S08，以所述第二侧墙为掩模刻蚀所述第二硬掩模层，形成第二硬掩模层块；

步骤S09，以所述第二硬掩模层块为掩模刻蚀所述第一硬掩模层以及电子材料层，并去除所有第一硬掩模层和第二硬掩模层，形成电子材料的量子点。

2.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其特征在于：步骤S06中第二图形化材料层线条与第二硬掩模层线条相互垂直，步骤S08中刻蚀后形成的为第二硬掩模层方块。

3.根据权利要求2所述的量子点制造方法，其特征在于：所述制造方法还包括通过控制第一图形化材料层线条和/或第二图形化材料层线条的宽度，来确定形成的量子点的间距。

4.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其特征在于：所述第一图形化材料层和/或第二图形化材料选自APF材料、TEOS、多晶硅或无定型硅。

5.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其特征在于：所述第一侧墙和第二侧墙通过原子层淀积工艺形成。

6.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其特征在于：所述第一侧墙和第二侧墙的厚度为1-100nm。

7.根据权利要求5所述的量子点制造方法，其特征在于：所述第一侧墙和第二侧墙为氮化硅或二氧化硅。

8.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其特征在于：步骤S03包括淀积氮化硅，并去除所述第一图形化材料层线条顶部和第二硬掩模层表面的氮化硅，保留第一图形化材料层线条两侧的氮化硅以形成第一侧墙，步骤S04还包括形成第二硬掩模层线条之后去除第一侧墙。

9.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其特征在于：步骤S07包括淀积氮化硅，并去除所述第二图形化材料层线条顶部和第一硬掩模层表面的氮化硅，保留第二图形化材料层线条两侧的氮化硅以形成第二侧墙，步骤S08还包括形成第二硬掩模层块之后去除第二侧墙。

10.根据权利要求1至9任一项所述的量子点制造方法，其特征在于：所述电子材料层选自IIB～VIA族或IIIA～VA族元素，所述电子材料层的厚度为1-100nm。