[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底以及位于所 述半导体衬底内的深N阱、位于所述深N阱内的浅沟槽隔离、位于 所述深N阱内且分别位于所述浅沟槽隔离的两侧的P型附加区和N 型阴极区，还包括位于所述深N阱的上方且位于所述浅沟槽隔离的 两侧的阴极引出区和阳极，其中，所述阴极引出区与所述N型阴极 区相接触，所述阳极与所述深N阱相接触并与所述P型附加区相接 触。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体 器件还包括位于所述P型附加区内的P型接触区，其中所述阳极通过 所述P型接触区与所述P型附加区相接触。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体 器件还包括位于所述N型阴极区内的N型接触区，其中所述阴极引 出区通过所述N型接触区与所述N型阴极区相接触。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阳极的 材料包括金属或金属硅化物。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述P型附 加区包括P型漂移区和中压P阱。

6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供半导体衬底，形成位于所述半导体衬底内的深N 阱以及位于所述深N阱内的浅沟槽隔离；

步骤S102：通过离子注入形成位于所述深N阱内且位于所述浅 沟槽隔离的一侧的P型附加区；

步骤S103：通过离子注入形成位于所述深N阱内且位于所述浅 沟槽隔离的与所述P型附加区相对的另一侧的N型阴极区；

步骤S104：形成位于所述深N阱上方且位于所述浅沟槽隔离的 两侧的阴极引出区和阳极，其中，所述阴极引出区与所述N型阴极 区相接触，所述阳极与所述深N阱相接触并与所述P型附加区相接 触。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 在所述步骤S103与所述步骤S104之间还包括步骤S1034：

形成位于所述P型附加区内的P型接触区，其中所述阳极通过所 述P型接触区与所述P型附加区相接触；

和/或，形成位于所述N型阴极区内的N型接触区，其中所述阴 极引出区通过所述N型接触区与所述N型阴极区相接触。

8.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述步骤S102包括：

步骤S1021：在形成P型漂移区的离子注入工艺中对拟形成P型 附加区的区域进行第一次离子注入；

步骤S1022：在形成中压P阱的离子注入工艺中对拟形成P型附 加区的区域进行第二次离子注入，其中经过所述第一次离子注入与所 述第二次离子注入形成P型附加区。

9.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 在所述步骤S104中，所述阳极的材料包括金属或金属硅化物。

10.一种电子装置，其特征在于，包括半导体器件以及与所述半 导体器件相连接的电子组件，其中所述半导体器件包括半导体衬底以 及位于所述半导体衬底内的深N阱、位于所述深N阱内的浅沟槽隔 离、位于所述深N阱内且分别位于所述浅沟槽隔离的两侧的P型附 加区和N型阴极区，还包括位于所述深N阱的上方且位于所述浅沟 槽隔离的两侧的阴极引出区和阳极，其中，所述阴极引出区与所述N 型阴极区相接触，所述阳极与所述深N阱相接触并与所述P型附加 区相接触。