[发明专利]一种阵列基板、显示面板和显示装置在审

专利信息
申请号: 201410838244.7 申请日: 2014-12-30
公开(公告)号: CN104536206A 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 李斌玲;周婷;宋琼;沈柏平;曾章和 申请(专利权)人: 厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
主分类号: G02F1/1337 分类号: G02F1/1337;G02F1/1343
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地址: 361000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示 面板 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及平板显示技术,特别涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术

在液晶显示领域中,相较于TN(Twisted Nematic,扭转向列)型显示面板中液晶分子的垂直排列,平面转换式显示面板通过同一平面内像素的电极间产生平面电场,使电极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在平行于基板的平面方向发生旋转转换,从而提高液晶层的透光效率,同时,当遇到外界压力时,分子结构向下稍微下陷,但是整体分子还呈水平状,所以不会产生画面失真和影响画面色彩,可以最大程度的保护画面效果不被损害。由于平面转换式显示面板具有响应速度快、可视角度大、触摸无水纹、色彩真实等优点,被广泛应用于各种领域。

如图1所示,现有平面转换式显示面板的像素单元中包括依次层叠设置的公共电极101和像素电极102,以及设置在公共电极101与像素电极102之间的绝缘层(图中未示出),公共电极101具有多个条状的支电极103,支电极103包括由第一直线部1031和第二直线部1032组成的中部电极,第一直线部1031和第二直线部1032反向倾斜连接,在中部电极的两端还设置有第一弯折电极1033和第二弯折电极1034。在公共电极101和像素电极102施加电压后,会在两者之间产生平面电场以控制液晶分子旋转。

图2为图1平面转换式显示面板在位置a的局部放大图,结合图2所示,在公共电极的支电极103与像素电极102之间形成第一电场E1,液晶分子100a在第一电场E1的作用下从初始取向方向(虚线液晶分子长轴方向)旋转至于第一电场E1平行的方向,但是在公共电极103中部电极的第一直线部1031和第二直线部1032的连接交界处,液晶分子会受到与第一电场E1方向不同的第二电场E2的控制,而在第一直线部1031和第二直线部1032的连接交界处附近的第二电场E2存在多个电场方向,液晶分子在不同方向第二电场E2作用下从初始取向方向旋转至平行于第二电场E2时,会出现液晶分子旋转方向不同,例如图2中,液晶分子100b1向右旋转,液晶分子100b-2基本不旋转。另外,在第一直线部1031和第二直线部1032的连接交界处,液晶分子受到第一电场E1和第二电场E2的综合作用,会进一步造成该位置液晶分子的乱排现象,进而在第一直线部1031和第二直线部1032的连接交界位置形成黑色畴线。当在显示面板表面施加外力且滑动时,液晶分子排列更加紊乱,导致像素单元边缘位置的黑色畴错区域增加,像素单元的透过率降低,亮度下降,表现为显示面板的滑动拖尾显示不均。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供一种阵列基板,包括多个像素单元,覆盖所述像素单元的取向层,所述取向层具有具有平行于所述阵列基板平面的取向方向,设置于所述像素单元内的第一电极和第二电极,所述第一电极具有至少一个支电极,所述支电极包括中部电极以及设置在所述中部电极两端的弯折电极,所述中部电极包括反向倾斜的两个直线部,所述弯折电极与取向方向之间形成的夹角大于所述中部电极的直线部与取向方向之间形成的夹角,其中,所述中部电极的直线部与取向方向之间形成的夹角大于等于21°且小于等于32°。

本发明实施例还提供一种显示面板,包括上述阵列基板,与所述阵列基板相对设置的对向基板,和设置在所述阵列基板与对向基板之间的液晶层。

本发明实施例还提供一种显示装置,包括上述显示面板。

通过将像素单元内中部电极的直线部与取向方向之间形成的夹角大于等于21°且小于等于32°,当液晶分子在受到外力按压时,液晶分子由初始位置回复至液晶分子正常工作状态位置的转动角度较小,进而使支电极的第一直线部和第二直线部的连接交界位置的畴错暗区面积的回复时间缩短,有效解决了显示画面的滑动拖尾显示不均问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术提供的平面转换式显示面板的像素单元结构示意图;

图2是图1实施例中像素单元的液晶分子排布在位置a的局部放大图;

图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的像素单元结构示意图;

图4是图3实施例中的阵列基板沿A-A’截面的剖视图;

图5是图3实施例中位置b处像素电极支电极的结构示意图;

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