[发明专利]硅片凹痕缺陷增强方法以及半导体制造方法在审
| 申请号： | 201410838532.2 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104616973A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 熊鹏;杨兴;邓咏桢;康军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 凹痕 缺陷 增强 方法 以及 半导体 制造 | ||
1.一种硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于包括：
第一步骤：针对闪存制造工艺对硅片进行加工，其中在将对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀之前，利用氢氟酸去除硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片上的原生氧化层；
第二步骤：在去除原生氧化层之后，执行对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀的工艺，以便通过刻蚀过程使得硅片凹痕缺陷增强。
2.根据权利要求1所述的硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于，在第一步骤中，将硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片浸入氢氟酸，以去除硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片上的原生氧化层。
3.根据权利要求2所述的硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于，在第一步骤中，硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片浸入氢氟酸的时间介于8至15秒之间。
4.根据权利要求1或2所述的硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于，在第一步骤中，硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片浸入氢氟酸的时间为10秒。
5.根据权利要求1或2所述的硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于，在第一步骤中，硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片浸入氢氟酸的时间为12秒。
6.根据权利要求1或2所述的硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于，第二步骤的刻蚀时间为5-10分钟。
7.根据权利要求6所述的硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于，第二步骤的刻蚀时间为6分钟。
8.根据权利要求1或2所述的硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于，对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀的工艺使得硅衬底厚度降低。
9.根据权利要求1或2所述的硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于，对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀的工艺使得硅衬底厚度降低1KA。
10.一种半导体制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1至6之一所述的硅片凹痕缺陷增强方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
