[发明专利]一种电子封装用碳化硅增强铝基复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种电子封装用碳化硅增强铝基复合材料的制备方法，其特征在于：制备方法包括SiCp颗粒表面预处理、SiCp颗粒表面镀铜以及SiCp/Al复合材料的制备三个工序:

（1）SiCp颗粒表面预处理工序

包括粗化、敏化、活化、解胶、烘干5个步骤，粗化采用体积分数为20%的HF酸的水溶液对SiCp颗粒表面酸洗，解胶采用次磷酸盐溶液清洗SiCp颗粒表面，再用蒸馏水洗净至中性；敏化液配方为：氯化亚锡15～20g/l、38%浓盐酸体积分数3～6%，溶剂为蒸馏水；活化溶液配方为：硝酸银4～6g/l，氨水调节溶液至澄清，溶剂为蒸馏水；

（2）SiCp颗粒表面镀铜工序

镀液配方为：硫酸铜5～12.5 g/l、EDTA为10～20g/l、酒石酸钾钠5～15g/l、甲醛体积分数1.2%～1.5%以及甲醇体积分数0.7～0.9%；施镀工艺参数为：镀液pH维持11～12.5、温度35～47℃；

（3） SiCp/Al复合材料的制备工序

加热炉内，镀铜SiCp、铝块在氩气保护条件下，采取分段加热至1100℃，保温60～70min后自然冷却，得到SiCp体积分数为50%-55%的铝基复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种电子封装用碳化硅增强铝基复合材料的制备方法，其特征在于：所述的SiCp颗粒为纯度大于98%、粒度100～200μm的a-SiC，铝块为铝镁硅系合金。

3.根据权利要求1所述的一种电子封装用碳化硅增强铝基复合材料的制备方法，其特征在于：所述的分段加热为：镀铜SiCp、铝块首先加热到200℃，保温20-25min，然后升温到400-500℃，保温15-20min，再升温到600-800℃，保温25min，最后升温到1100℃。

4.根据权利要求1所述的一种电子封装用碳化硅增强铝基复合材料的制备方法，其特征在于：所述的SiCp颗粒表面镀铜工序采取超声波或机械搅拌辅助电镀。