[发明专利]一种钌配合物单分子膜和在HOPG上制备钌配合物单分子膜的方法

权利要求书

1.一种钌配合物单分子膜，其特征在于：该钌配合物单分子膜中钌配合物中的芘基与具有π-电子环境的HOPG通过π-π相互作用，将钌配合物分子的两个芘基固定在HOPG界面，该钌配合物[Ru(Py₄G₂MeBip₂)](PF₆)₂的化学通式如下：

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2.一种利用旋涂法在HOPG上制备根据权利要求1所述的钌配合物单分子膜的方法，其特征在于具体步骤如下：

步骤1、首先将钌配合物[Ru(Py₄G₂MeBip₂)](PF₆)₂溶解在四氢呋喃溶液中，制得50uM的钌配合物溶液；

步骤2、HOPG的表面处理：将胶带按压在HOPG表面上，然后剥离，得到新的光滑导电表面；

步骤3、将经步骤2表面处理后的HOPG基片固定在旋凃仪上，在HOPG基片表面滴加步骤1制备得到的钌配合物溶液，启动旋涂仪，使钌配合物均匀铺展成膜，室温放置使其自然干燥，取下HOPG基片，用四氢呋喃洗净后惰性气体吹干，即能制备得到钌配合物单分子膜，该经钌配合物单分子膜修饰的HOPG作为阳极。

3.根据权利要求2所述的利用旋涂法在HOPG上制备钌配合物单分子膜的方法，其特征在于：所述步骤3中旋涂仪低速启动阶段旋转速率为150~200rpm，时间为3~5s，高速旋转速率为700~1000rpm，时间为70~120s。

4.一种利用浸渍法在HOPG上制备根据权利要求1所述的钌配合物单分子膜的方法，其特征在于具体步骤如下：

步骤1、钌配合物溶液的配制：将钌配合物[Ru(Py₄G₂MeBip₂)](PF₆)₂溶解在二氯甲烷溶液中，制得50uM的钌配合物溶液；

步骤2、HOPG的表面处理：将胶带按压在HOPG表面上，然后剥离，得到新的光滑导电表面；

步骤3、HOPG基底上定向组装：将经步骤2表面处理的HOPG浸没于步骤1配置得到的钌配合物溶液中，轻微震荡除去气泡，在室温下浸渍后取出HOPG基底，用二氯甲烷清洗干净后惰性气体吹干，即能制备得到钌配合物单分子膜，该经钌配合物单分子膜修饰的HOPG作为阳极。

5.根据权利要求4所述的利用浸渍法在HOPG上制备钌配合物单分子膜的方法，其特征在于：所述步骤3中浸渍时间为10~24h。