[发明专利]异质结太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池，包含：

一太阳能电池本体，包含：

一半导体基板，具有相对设置的一第一表面与一第二表面，且所述半导体基板掺杂有一第一半导体；

一第一本征非晶硅半导体层，设置于所述第一表面上；

一第一非晶硅半导体层，设置于所述第一本征非晶硅半导体层上，并掺杂有一第二半导体；

一第二本征非晶硅半导体层，设置于所述第二表面上；以及

一第二非晶硅半导体层，设置于所述第二本征非晶硅半导体层上，并掺杂有一第三半导体；

一第一图案化透明导电层，形成于所述第一非晶硅半导体层上，并具有多个第一延伸包覆部，所述第一延伸包覆部部分地包覆住所述第一非晶硅半导体层的边缘；以及

一第二图案化透明导电层，形成于所述第二非晶硅半导体层上，且所述第二图案化透明导电层与所述第一图案化透明导电层之间围构出多个相互连通的边缘暴露区，借以使所述第一图案化透明导电层与所述第二图案化透明导电层通过所述相互连通的边缘暴露区互相绝缘；

其中，所述第二图案化透明导电层具有多个第二延伸包覆部，所述第二延伸包覆部至少包覆住部分所述第二非晶硅半导体层的边缘，所述第一延伸包覆部与所述第二延伸包覆部交错地排列。

2.如权利要求1所述的异质结太阳能电池，其中，所述边缘暴露区的形状为长方形、正方形、弧形、不规则形、环形或其组合。

3.如权利要求1所述的异质结太阳能电池，其中，所述第一图案化透明导电层的边缘与所述第二图案化透明导电层的边缘图案为互补。

4.如权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法，其中，所述第一半导体为一第一型半导体，所述第二半导体与所述第三半导体其中一个为一第一型半导体，另一个为一第二型半导体。

5.如权利要求4所述的异质结太阳能电池的制作方法，其中，所述第一型半导体为N型半导体，所述第二型半导体为P型半导体。

6.如权利要求4所述的异质结太阳能电池的制作方法，其中，所述第一型半导体为P型半导体，所述第二型半导体为N型半导体。

7.一种异质结太阳能电池的制作方法，包括以下步骤：

(a)制备一半导体基板，所述半导体基板掺杂有一第一半导体；

(b)于所述半导体基板的一第一表面上形成一第一本征非晶硅半导体层；

(c)于所述第一本征非晶硅半导体层上形成一第一非晶硅半导体层，且所述第一非晶硅半导体层掺杂有一第二半导体；

(d)于所述半导体基板的一第二表面上形成一第二本征非晶硅半导体层；

(e)于所述第二本征非晶硅半导体层上形成一第二非晶硅半导体层，其中所述第二非晶硅半导体层掺杂有一第三半导体；

(f)于所述第一非晶硅半导体层的表面形成一第一图案化透明导电层，且所述第一图案化透明导电层具有多个包覆所述第一非晶硅半导体层边缘的第一延伸包覆部；以及

(g)于所述第二非晶硅半导体层上形成一第二图案化透明导电层，且所述第二图案化透明导电层与所述第一图案化透明导电层之间围构出多个相互连通的边缘暴露区，借以使所述第一图案化透明导电层与所述第二图案化透明导电层通过所述相互连通的边缘暴露区互相绝缘；

其中，步骤(g)在所述第二非晶硅半导体层的表面形成所述第二图案化透明导电层时，透过遮罩或半导体基板支架遮挡所述第二非晶硅半导体层的部分表面，进而形成多个第二延伸包覆部，且所述第二延伸包覆部与所述第一延伸包覆部交错地排列。

8.如权利要求7所述的异质结太阳能电池的制作方法，其中，所述第一图案化透明导电层与所述第二图案化透明导电层透过一真空蒸镀制程、一电弧放电蒸镀制程、一脉冲激光蒸镀制程或一溅镀制程所形成。

9.如权利要求7所述的异质结太阳能电池的制作方法，其中，步骤(f)在所述第一非晶硅半导体层的表面形成所述第一图案化透明导电层时，透过遮罩或半导体基板支架遮挡住所述第一非晶硅半导体层的部分表面，进而形成所述第一延伸包覆部。

10.如权利要求7所述的异质结太阳能电池的制作方法，其中，所述第一半导体为一第一型半导体，所述第二半导体与所述第三半导体其中一个为一第一型半导体，另一个为一第二型半导体。