[发明专利]一种半导体存储器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体存储器件的制备方法，包括：

步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有浮栅材料层、隔离层、控制栅材料层和硬掩膜层，其中，所述硬掩膜层在竖直方向上具有不同的湿法蚀刻速率；

步骤S2：图案化所述硬掩膜层，以形成开口，露出所述控制栅材料层；

步骤S3：湿法蚀刻所述硬掩膜层，以扩大所述开口，形成上宽下窄的倒锥形开口；

步骤S4：以所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述控制栅材料层、所述隔离层和所述浮栅材料层，以形成上窄下宽的锥形浮栅和控制栅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述硬掩膜层选用SiO₂。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述硬掩膜层的形成方法选用CVD或者高纵深比沉积工艺。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述硬掩膜层的形成方法包括：

步骤S11：沉积子硬掩膜层并选用氧等离子体对该子硬掩膜层进行处理；

步骤S12：执行步骤S11若干次，以形成所述硬掩膜层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步骤S11中，所述子硬掩膜层的厚度范围为

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步骤S11中，所述子硬掩膜层采用常压化学气相沉积工艺形成，其中反应气体为正硅酸乙酯、SiH₄中的一种或两种，以及O₂或O₃中的一种或两种，反应温度为700℃～1000℃。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧等离子体处理采用的气体为O₂或O₃；其中，O₂或O₃的流量范围为50sccm～500sccm。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧等离子体处理的时间为5s～60s，射频功率为30W～1000W。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步骤S12中执行步骤S11的次数为5-30。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度为

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，图案化所述硬掩膜层的方法包括：

步骤S21：在所述硬掩膜层上形成图案化的光刻胶或者双层、多层的掩膜层；

步骤S22：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述硬掩膜层，以形成所述开口。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述湿法蚀刻选用包括HF的蚀刻液。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述倒锥形开口的侧壁和所述控制栅材料层之间的夹角为80-88°。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，通过控制所述硬掩膜层与所述浮栅材料层和所述控制栅材料层之间的蚀刻选择比来调整所述浮栅和所述控制栅的侧壁角度。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述浮栅材料层选用多晶硅；

所述控制栅材料层选用多晶硅。

16.一种基于权利要求1至15之一所述的方法制备得到的半导体存储器件。

17.一种电子装置，包括权利要求16所述的半导体存储器件。