[发明专利]一种半导体存储器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体存储器件的制备方法，包括：

步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有有源区单元、浅沟槽隔离单元以及周围区单元，其中在所述有源区单元和所述浅沟槽隔离单元中形成有由若干栅极结构形成的栅极阵列；

步骤S2：执行源漏注入，以形成源漏区，并形成钝化层，以覆盖所述有源区单元、所述浅沟槽隔离单元和所述周围区单元；

步骤S3：以自对准的方法去除所述浅沟槽隔离单元中部分所述栅极结构之间的所述钝化层，以形成若干隔离开口，间隔所述栅极阵列；

步骤S4：沉积隔离材料层，以填充所述隔离开口；

步骤S5：在所述周围区单元中形成第二栅极结构；

步骤S6：去除所述有源区单元和所述浅沟槽隔离单元上的所述钝化层，以露出所述栅极结构；

步骤S7：沉积层间介电层，以覆盖所述有源区单元、所述浅沟槽隔离单元中的所述栅极结构和所述周围区单元中的所述钝化层；

步骤S8：图案化所述层间介电层和所述钝化层，在所述周围区单元的所述钝化层中形成接触孔开口；

步骤S9：去除所述层间介电层，以露出所述栅极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

步骤S31：在所述栅极阵列上形成图案化的掩膜层，以露出所述浅沟槽隔离单元中的部分所述钝化层；

步骤S32：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述钝化层，以在所述钝化层中形成所述隔离开口。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，沉积所述隔离材料层的方法包括：

步骤S41：沉积隔离材料层，以填充所述隔离开口并覆盖所述钝化层；

步骤S42：回蚀刻所述隔离材料层至所述钝化层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S5包括：

步骤S51：图案化所述周围区单元中的栅极材料层，以形成所述第二栅极结构；

步骤S52：在所述第二栅极结构的侧壁上形成间隙壁；

步骤S53：在所述第二栅极结构顶部及其两侧形成自对准硅化物层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S6包括：

步骤S61：在所述周围区单元的所述钝化层上形成第二掩膜层；

步骤S62：以所述第二掩膜层为掩膜蚀刻所述钝化层，以去除所述有源区单元和所述浅沟槽隔离单元上的所述钝化层；

步骤S63：去除所述第二掩膜层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：

步骤S10：沉积导电材料，以填充所述接触孔开口以及所述栅极结构之间的空隙，以形成接触孔。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述步骤S10中，在沉积所述导电材料之前，还进一步包括沉积粘结胶层的步骤。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述步骤S10中，沉积所述导电材料之后还包括平坦化步骤，平坦化所述导电材料至所述栅极阵列。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S8中，图案化所述层间介电层和所述钝化层，以在所述第二栅极结构上方及其一侧形成所述接触孔开口。

10.一种基于权利要求1至9之一所述的方法制备得到的半导体存储器件。

11.一种电子装置，包括权利要求10所述的半导体存储器件。