[发明专利]直照补偿型脉冲中子探测装置及探测系统在审
| 申请号： | 201410841644.3 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104597480A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 张国光 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | G01T3/08 | 分类号： | G01T3/08 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 102413 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 补偿 脉冲 中子 探测 装置 系统 | ||
1.一种直照补偿型脉冲中子探测装置，其包括两个硅PIN探测器(1、2)、转换靶(3)以及补偿盒(4)，其特征是：两个所述硅PIN探测器平行设置，所述转换靶(3)设置在两个硅PIN探测器之间；两个硅PIN探测器的一端分别与高压源(5)连接，两个硅PIN探测器另一端分别与所述补偿盒(4)的输入端连接。
2.如权利要求1所述的直照补偿型脉冲中子探测装置，其特征是：所述补偿盒(4)的输出端与信号同轴连接器(6)连接。
3.如权利要求2所述的直照补偿型脉冲中子探测装置，其特征是：所述转换靶(3)采用高密度聚乙烯片。
4.如权利要求1-3任一项所述的直照补偿型脉冲中子探测装置，其特征是：每个所述硅PIN探测器中间设有铝片。
5.如权利要求4所述的直照补偿型脉冲中子探测装置，其特征是：所述硅PIN探测器采用Φ60平面工艺硅PIN探测器，所述硅PIN探测器厚度为300μm。
6.如权利要求5所述的直照补偿型脉冲中子探测装置，其特征是：所述聚乙烯片的厚度为100μm或200μm。
7.一种探测系统，其特征是：包括多个如权利要求1-6任一项所述的直照补偿型脉冲中子探测装置，多个直照补偿型脉冲中子探测装置采用同轴设置。
8.如权利要求7所述的探测系统，其特征是：相邻两个所述直照补偿型脉冲中子探测装置之间通过铝环(9)隔开。
9.如权利要求8所述的探测系统，其特征是：每块所述铝环(9)的前端设有铷铁硼磁铁(7)。
10.如权利要求9所述的探测系统，其特征是：在最前端的所述铷铁硼磁铁(7)前设有过滤器(8)。
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