[发明专利]OLED显示屏及其像素结构、OLED显示屏的制作方法在审
申请号: | 201410842240.6 | 申请日: | 2014-12-30 |
公开(公告)号: | CN104465713A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 陈红;彭兆基;金波 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示屏 及其 像素 结构 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及OLED技术领域,特别是涉及一种OLED显示屏、一种OLED显示屏的像素结构和一种OLED显示屏的制作方法。
背景技术
基于OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)的显示技术是一种自发光显示技术,采用可以电致发光的有机材料制作像素单元,其具有响应速度快、超薄、宽色域、可视角度大、工作温度范围宽等优点。
随着技术的发展,用户对显示分辨率的需求越来越高。分辨率可以采用PPI(pixel per inch,每英寸像素数)来衡量。由于蒸镀用精细金属掩膜板(FMM,fine metal mask)的mask sheet湿法刻蚀工艺制程的限制,传统的OLED显示器一般只能做到320PPI左右,很难做到更高如400PPI以上。OLED显示器分辨率的大小不仅和FMM的开口最小尺寸有关,而且和像素排布结构也相关。
发明内容
基于此,有必要提供一种可提高OLED显示屏分辨率的像素结构。
此外,还提供一种使用上述像素结构的OLED显示屏及其制作方法。
一种OLED显示屏的像素结构,包括多个阵列排布的像素单元,每个像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,其特征在于,所述像素单元为正方形,所述第一子像素和第二子像素均包括两条相互垂直的外边,依次构成所述像素单元的四条边,所述第一子像素和第二子像素形成的闭合区域内填充所述第三子像素。
在其中一个实施例中,所述第一子像素、第二子像素和第三子像素的颜色互不相同,且分别为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的一种。
在其中一个实施例中,所述第一子像素和第二子像素的形状相同。
在其中一个实施例中,所述第一子像素和第二子像素的形状均为两个互相垂直的条形。
在其中一个实施例中,所述第三子像素的形状为正方形。
一种OLED显示屏,包括上述的像素结构,所述像素结构中任意两个相邻的像素单元以邻接处的边界线成轴对称分布。
一种OLED显示屏的制造方法,包括如下步骤:
形成像素材料的基底;
使用具有正方形开口的掩膜板蒸镀第三子像素的发光材料层;
使用具有十字形开口的掩膜板蒸镀第一子像素的发光材料层;
使用具有十字形开口的掩膜板蒸镀第二子像素的发光材料层。
一种OLED显示屏的制造方法,包括如下步骤:
形成像素材料的基底;
使用具有正方形开口的掩膜板蒸镀第三子像素的发光材料层;
使用具有间隔条形开口的掩膜板第一次蒸镀第一子像素的发光材料层;
使用具有间隔条形开口的掩膜板旋转90度第二次蒸镀第一子像素的发光材料层,使两次蒸镀的第一子像素的发光材料层相互交错;
使用具有间隔条形开口的掩膜板第一次蒸镀第二子像素的发光材料层;
使用具有间隔条形开口的掩膜板旋转90度第二次蒸镀第二子像素的发光材料层,使两次蒸镀的第二子像素的发光材料层相互交错。
一种OLED显示屏的制造方法,包括如下步骤:
形成像素材料的基底;
使用开放式掩膜板蒸镀蓝色子像素的发光材料层,并作为空穴传输层;
在所述蓝色子像素的发光材料层上分别蒸镀红色子像素和绿色子像素的发光材料层;所述像素单元为正方形,所述红色子像素和绿色子像素均包括两条相互垂直的外边,依次构成所述像素单元的四条边。
由于采用上述像素结构及相应的排布结构,上述OLED显示屏的相邻的像素单元的第一子像素(或第二子像素)可以共用掩膜板上的同一个开口来制作,所制作的子像素的尺寸为掩膜板开口尺寸的一半,因此在掩膜板开口能力有限的情况下,可以比传统方法制作尺寸更小的子像素。因而能够提升OLED显示屏整体的分辨率。
上述OLED显示屏的制造方法可制造比传统方法更小的子像素,因而可制造出具有更高分辨率的OLED显示屏。
附图说明
图1为OLED显示屏的部分像素结构示意图;
图2为图1中的一个像素单元的结构示意图;
图3为第一实施例的制作OLED显示屏的像素结构的方法流程图;
图4(a)、图4(c)、图4(e)为图3方法中的像素结构的中间结构示意图;
图4(b)为图3方法中制作第三子像素的掩膜板结构示意图;
图4(d)为图3方法中制作第一子像素和第二子像素的掩膜板结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的