[发明专利]晶圆测试芯片状态图的分类方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种晶圆测试芯片状态图的分类方法。

背景技术

晶圆测试(Circuit Probing,CP)也称电路针测，是在封装前直接在晶圆(wafer)上对芯片晶粒(die)进行测试，用于验证每个芯片是否符合产品规格。CP测试按照测试项目(BIN)对芯片进行分类并形成芯片状态图(BINMAP)，将测试失败的芯片需要在对应的BINMAP中标记为失效测试项目类(FAIL BIN)。在半导体集成电路制造领域，晶圆指单晶硅圆片，简称硅片，对于测试失败的芯片也可以直接在晶圆上点墨标记，这样在后续封装中被标记为FAIL BIN类的芯片将不会被选择。

目前量产测试时客户对于测试要求非常繁复，现有比较常见的情况是客户根据硅片在晶圆允收测试(Wafer Acceptance Test，WAT)的结果判断在硅片某个特定区域的芯片在CP结果中需要变为指定的FAIL BIN。如图1所示，是现有晶圆测试芯片状态图的分类方法的BIN MAP示意图；

首先采用测试机102对硅片101进行全片CP测试并得到全片的BINMAP103。

之后，根据WAT的结果确定需要指定为FAIL BIN的指定芯片104a，芯片104对应于硅片101的芯片数据。

之后，结合指定芯片104a的位置，在BINMAP103中将指定芯片104a的位置出的测试结构标记为FAIL BIN，如标记105a所示；标记105b所示为测试正常的芯片标记，这样就形成了新的BINMAP105。在该步骤中，通常做法是由信息部门BINMAP103做处理，根据客户的要求把BINMAP103上指定坐标的原FAIL BIN改为客户指定的FAIL BIN，修改良率后生成新的BINMAP105后再发送给客户，用于后续的划片封装。

由上可知，现有方法由于需要对整片硅片进行测试，这会造成测试时间比较长，并且特定区域需要分指定FAIL BIN的芯片即需要将FAIL BIN芯片分类出来；而对于指定芯片，由于工艺原因造成测试时的漏电流较大，现有方法中将指定芯片也作为测试对象有可能对测试硬件造成损坏，所以对于CP测试时间和测试难度都有很大的挑战。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种晶圆测试芯片状态图的分类方法,能有效减少测试时间，能有效保护测试硬件，减少工序流程并有效减少出错几率和提高工作效率。

为解决上述技术问题，本发明提供的晶圆测试芯片状态图的分类方法包括如下步骤：

步骤一、根据晶圆允收测试的结果判断在晶圆的一个或多个特定区域的芯片在晶圆测试得到的芯片状态图中需要变更为失效测试项目类，将需要标记为失效测试项目类的所述芯片定义为指定芯片且将所述指定芯片的坐标记录在配置文件中。

步骤二、进行晶圆测试，所述晶圆测试包括多个测试步，测试机台按照选定的测试路径对所述晶圆进行分步测试，在执行当前测试步的下降接触(touch down)前都对所述配置文件中的所述指定芯片的信息做判断，如果所述当前测试步的下降接触区域包括有对应的所述指定芯片，则将需要将位于所述当前测试步的下降接触区域的所述指定芯片排除在所述当前测试步的测试对象之外，之后进行所述当前测试步的下降接触并对选定的测试对象进行测试；在所述当前测试步的测试完成之后，进行所述当前测试步的芯片状态图的打印，如果所述当前测试步的下降接触区域中包括了所述指定芯片则需要在所述当前测试步的芯片状态图中将所包括的所述指定芯片的状态打印为失效测试项目类。

步骤三、当按照所述测试路径对所述晶圆全部测试完之后，将各步测试得到的所述芯片状态图生成整片所述晶圆的所述芯片状态图。

进一步的改进是，记录在所述配置文件中所述指定芯片的坐标包括所述指定芯片在所述晶圆上的横坐标和纵坐标，所述指定芯片的坐标后还记录有失效测试项目类。

本发明事先根据WAT的结果判断在BINMAP中需要标记为FAIL BIN的指定芯片，并将指定芯片的位置定义在配置文件中，当进行CP测试时，在CP测试的每一个测试步的touch down之前都检测对应的测试步区域中是否包括指定芯片，如果包括则将指定芯片排除在测试对象之外，这样减少了测试对象芯片数量，所以能够有效减少测试时间，不测工艺问题的芯片可以有效保护测试硬件。