[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201410842446.9 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104599973A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 李子健 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(10)，于所述基板(10)上沉积非晶质状态的硅膜，形成非晶硅薄膜(30)；
步骤2、采用光刻工艺将所述非晶硅薄膜(30)蚀刻成预定图案；
步骤3、采用激光照射工艺对所述形成有预定图案的非晶硅薄膜(30)进行照射，将非晶硅转化为多晶硅，形成多晶硅薄膜(30a)；
步骤4、将杂质注入所述多晶硅薄膜(30a)中，形成有源区(30b)；
步骤5、于所述有源区(30b)上形成栅极绝缘膜(40)。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤1中还包括在所述基板上形成缓冲层(20)，所述非晶硅薄膜(30)沉积于所述缓冲层(20)上。
3.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述缓冲层(20)材料为氮化硅、或氧化硅、或氮化硅与氧化硅的组合。
4.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤2中采用化学气相沉积工艺形成所述缓冲层(20)及非晶硅薄膜(30)。
5.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤3还包括激光照射之前对形成有非晶硅薄膜(30)的基板(10)进行清洗。
6.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤5还包括形成栅极绝缘膜(40)之前对形成有有源区(30b)的基板(10)进行清洗。
7.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤4中注入的杂质为P型杂质或N型杂质。
8.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤3中的激光照射工艺为准分子激光照射工艺。
9.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤4中所述有源区(30b)包括待形成漏极的漏极区及待形成源极的源极区。
10.如权利要求9所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法还包括：
步骤6、在所述栅极绝缘膜(40)上依次形成栅极、层间绝缘膜、源/漏极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司;，未经深圳市华星光电技术有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410842446.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
