[发明专利]一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法和制绒预处理硅片及其应用有效
| 申请号： | 201410842630.3 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104480532A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 章金兵;彭也庆;付红平 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金刚 切割 多晶 硅片 预处理 方法 及其 应用 | ||
1.一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法，包括如下步骤：
(1)取金刚线切割的多晶硅片进行清洗，之后将所述硅片置于扩散炉中，并将扩散炉升温至850-900℃，通入大流量氮气，祛除炉内气体；
(2)待扩散炉的温度稳定后，通入携液态磷源的氮气、氧气进行扩散，扩散温度为850-900℃，扩散时间为10-15min，其中，携液态磷源的氮气的流量为40-100ml/min，氧气的流量为30-90ml/min；
(3)将扩散炉通入大流量氮气，完成扩散过程，得到带磷扩散层的多晶硅片，即制绒预处理硅片。
2.如权利要求1所述的制绒预处理方法，其特征在于，步骤(1)中，所述大流量氮气的流量为500-1000ml/min。
3.如权利要求1所述的制绒预处理方法，其特征在于，步骤(2)中，所述液态磷源为三氯氧磷。
4.如权利要求1所述的制绒预处理方法，其特征在于，步骤(2)中，所述扩散温度为860-890℃。
5.如权利要求1所述的制绒预处理方法，其特征在于，步骤(2)中，所述携液态磷源的氮气的流量为50-80ml/min。
6.如权利要求1所述的制绒预处理方法，其特征在于，步骤(2)中，所述氧气的流量为40-70ml/min。
7.如权利要求1所述的制绒预处理方法，其特征在于，步骤(3)中，所述带磷扩散层的多晶硅片的方块电阻为40-100ohm/Sq。
8.如权利要求1所述的制绒预处理方法，其特征在于，步骤(3)中，所述带磷扩散层的多晶硅片的方块电阻为50-80ohm/Sq。
9.如权利要求1所述的制绒预处理方法，其特征在于，步骤(3)中，所述大流量氮气的流量为500-1000ml/min。
10.一种制绒预处理硅片，其特征在于，所述制绒预处理硅片是按权利要求1-9所述的制绒预处理方法制得。
11.一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法，其特征在于，包括如权利要求1-9所述的制绒预处理方法，在所述制绒预处理方法之后，进一步包括常规制绒。
12.一种金刚线切割多晶硅片制绒产品，其特征在于，所述金刚线切割多晶硅片制绒产品是按权利要求11所述的制绒方法制得。
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