[发明专利]一种制备铜基金刚石复合材料的方法

说明书

技术领域

本发明属于一种铜基金刚石复合材料的制备技术，具体涉及一种热等静压近净成形制备高导热金刚石/铜复合材料的方法。

背景技术

随着芯片集成度的不断提高，电子封装向小型化、轻量化和高性能的方向发展，使得电路的工作温度不断上升，系统单位体积发热率不断增大导致系统工作不稳定。为了获得稳定的性能，必须改善散热条件，从而电子封装在微电子领域的重要性不断提升，伴随着新型电子封装材料的需求也在不断增加。高品质金刚石是世界上目前已知热导率最高的物质，可达到2000W/(m·K)，且室温下金刚石是绝缘体，还具有介电常数低、热膨胀系数低等特点，但单一的金刚石不易制作成封装材料，且成本很高，较理想的是用其做成金属基复合材料。而金属铜具有优良的导电性能和高的导热性能，它的热膨胀系数(CTE)为17×10^-6K，热导率(TC)为400W/(m·K)，因此，将金刚石与铜复合形成金刚石/铜复合材料，通过调节金刚石体积分数实现高热导和可调热膨胀，完全满足国内外热管理材料的要求。

金刚石/铜复合材料的制备难点在于：(1)金刚石与铜的润湿性极差的问题。在1150℃下金刚石与铜的浸润角为145°，它们之间高温没有固相反应发生，金刚石与铜难以烧结出致密的复合材料。通过金刚石表面改性，如加入强碳化合物元素(W、B、Ti，Cr)，从而改善金刚石与铜的润湿性。但改性的同时又带来增加界面热阻的新问题，影响金刚石/铜复合材料的热导率和热膨胀系数；(2)金刚石石墨化问题。在空气中，金刚石极易石墨化，773K以下就可能完全石墨化。在真空条件下，970K～1670K，金刚石开始发生部分石墨化现象，当温度高于2070K，则金刚石完全石墨化。因此在制备金刚石/铜复合材料的过程中，应充分利用还原气氛保护、加压等工艺，防止金刚石发生石墨化。

近年来，主要采用高温高压法、熔渗法和预先真空镀覆然后放电等离子体烧结的方法这三种方法制备金刚石/铜复合材料，其中：

高温高压法：就是把复合材料在较高烧结温度和较高压力作用下烧结，该方法制备时间短，有利于复合材料的致密化。金刚石颗粒直接成键，形成金刚石骨架。目前国内外高温高压设备类型多，工艺条件容易实现，复合材料的热导率较高。因而，成为了近期研究、应用较多的一种制备方法；

放电等离子烧结：放电等离子烧结(Spark plasma sintering，简称SPS)工艺，是近年来发展起来一种新型的材料制备方法。与传统的烧结方法相比，SPS具有升温速度快、组织结构可控、节能环保等优点，制得的烧结样品晶粒均匀、致密度高，力学性能好。该制备方法的缺点是烧结复合材料的致密化不是很好，尤其是对于金刚石体积分数较高的复合材料。

粉末冶金法：传统的粉末冶金法

先把金刚石表面处理后，在此基础上原位生成金属铜，再把金刚石/铜复合粉体粉末冶金制备成复合材料，该复合材料热导率可达310W/(m·K)。但该方法反应时间较长，烧结密度不容易达到。作为粉末冶金的一种活化烧结方式，是目前国外金刚石/铜复合材料最为常见的制备方法。就是复合材料在烧结温度和压力同时作用下烧结，该方法制备时间短，有利于复合材料的致密化。

液相浸渗法：该制备方法是液相成形技术，有气压、液压、无压液相浸渗，这种制备方法在Al基复合材料中用得较多，该制备方法使增强体和基体接触比较充分，比粉末冶金制备工艺对复合材料有更好的致密度，从而使复合材料获得较高的热导率。该制备工艺对设备要求较高，选用合适的设备及工艺可实现此种复合材料的高效生产，大幅度降低材料的生产成本。

以上三种方法制备金刚石/铜复合材料，由于制备设备过于昂贵，后期加工难度困难，很大程度上增加了限制了金刚石/铜复合材料在电子工程中的应用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种制备铜基金刚石复合材料的方法，该方法采用等静压近净成形技术制备金刚石/铜复合材料，该方法所制备的金刚石/铜复合材料热导率和热膨胀系数等关键指标均较高理想，且解决了金刚石/铜近净成形的问题，方法简单，材料性能一致性非常好。

为了实现上述目的，本发明采用了以下技术方案：

本发明的第一方面，提供一种制备铜基金刚石复合材料的方法，包括如下步骤：

步骤一，按照所述铜基金刚石复合材料的最终尺寸，以含活性元素的铜合金为原料制作模具；

步骤二，按照预先测得的金刚石振实密度称量需要的金刚石重量，然后将金刚石颗粒填充到步骤一所述的模具中并振实；