[发明专利]在芯片结构的目标电极上实现金纳米阵列结构制备方法

权利要求书

1.一种在芯片结构的目标电极上实现金纳米阵列结构制备方法，其特征在于，包括：

在基底的上表面形成包括多个电极的芯片结构，所述多个电极包括：目标电极和非目标电极；

按照预设第一时间和预设第一温度，利用预配置的化学溶液和第一电场控制方法，在所述目标电极上形成ZnO纳米阵列结构；

按照预设第二时间和预设第二温度，利用预配置的化学镀金溶液和第二电场控制方法，在所形成的ZnO纳米阵列结构上进行镀金，形成金纳米阵列结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设第一时间为0.5～48小时，所述预设第二时间为0.5～5分钟，所述预设第一温度为100℃以下，所述预设第二温度为常温，所述预配置的化学溶液为硝酸锌和乌洛托品复合水溶液，所述预配置的化学镀金溶液为：亚硫酸盐镀金溶液。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照预设第一时间和预设第一温度，利用预配置的化学溶液和第一电场控制方法在所述目标电极上形成ZnO纳米阵列结构，包括：

按照预设第一温度，将所述芯片结构浸没在预配置的化学溶液中；

在将所述芯片结构浸没的同时，按照预设第一时间，利用第一电场控制方法在所述目标电极上形成ZnO纳米阵列结构；

在所述芯片结构浸没结束后，将形成有ZnO纳米阵列结构的芯片结构依次进行清洗和烘干。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一电场控制方法为直流控制法，所述在将所述芯片结构浸没的同时，按照预设第一时间，利用第一电场控制方法在所述目标电极上形成ZnO纳米阵列结构，包括：

在将所述芯片结构浸没的同时，按照预设第一时间，在所述目标电极上施加直流电压V1，在所述全部或一部分非目标电极上施加直流电压V2，在目标电极上形成垂直生长的ZnO纳米阵列结构，其中V1<V2；

或，

所述第一电场控制方法为直流交流混合控制法，所述在将所述芯片结构浸没的同时，按照预设第一时间，利用第一电场控制方法在所述目标电极上形成ZnO纳米阵列结构，包括：

在将所述芯片结构浸没的同时，按照预设第一时间，在所述目标电极上施加直流电压V3和交流电压V5，在所述全部或一部分非目标电极上施加直流电压V4，在目标电极上形成杂乱生长的ZnO纳米阵列结构，其中V3<V4。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一电场控制方法为直流控制法，所述在将所述芯片结构浸没的同时，按照预设第一时间，利用第一电场控制方法在所述目标电极上形成ZnO纳米阵列结构，还包括：

所述芯片结构的基底下表面还包括底电极；

在将所述芯片结构浸没的同时，按照预设第一时间，在所述目标电极上施加直流电压V1，在所述全部或一部分非目标电极上施加直流电压V2，在所述底电极上施加直流电压V8，在目标电极上形成垂直生长的ZnO纳米阵列结构，其中V1<V8<V2；

或，

所述第一电场控制方法为直流交流混合控制法，所述在将所述芯片结构浸没的同时，按照预设第一时间，利用第一电场控制方法在所述目标电极上形成ZnO纳米阵列结构，还包括：

所述芯片结构的基底下表面还包括底电极；

在将所述芯片结构浸没的同时，按照预设第一时间，在所述目标电极上施加直流电压V3和交流电压V5，在所述全部或一部分非目标电极上施加直流电压V4，在所述底电极上施加直流电压V9，在目标电极上形成杂乱生长的ZnO纳米阵列结构，其中V3<V9<V4。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述底电极的材料为：掺杂的单晶硅或金属。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照预设第二时间和预设第二温度，利用预配置的化学镀金溶液和第二电场控制方法，在所形成的ZnO纳米阵列结构上进行镀金，包括：

按照预设第二温度，将烘干后的形成有ZnO纳米阵列结构的芯片结构浸没在预配置的化学镀金溶液中，或者，在预设第二温度下将预配置的化学镀金溶液滴加在烘干后的形成有ZnO纳米阵列结构的芯片结构的表面；

按照预设第二时间，利用第二电场控制方法在所述预配置的化学镀金溶液中在所形成的ZnO纳米阵列结构上进行镀金，形成金纳米阵列结构；

在镀金结束后，将形成有金纳米阵列结构的芯片结构取出，依次进行清洗和烘干。