[发明专利]触控面板

说明书

技术领域

本发明涉及触控领域，尤其涉及一种触控面板。

背景技术

触控装置是一种常见的设备，由于其具有功耗低、体积小、质量轻等特点，因此备受用户的青睐。触控装置通常包括触控面板，低温多晶硅(Low Temperature Ploy-silicon，LTPS)薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)由于能够使得触控面板具有更高的分辨率、更低的能耗、更高的迁移率以及较低的制备温度而得到了广泛的研究及应用。在触控面板中，像素电极与漏极之间相隔隔离，并且像素电极通过贯孔与薄膜晶体管的漏极相连，通常情况下，像素电极与漏极之间的间隔物(比如绝缘层或者平坦层等)较厚从而使得连接像素电极与漏极之间的贯孔的深度较深。因此，当像素电极通过贯孔与漏极相连时，容易造成像素电极的断线，脱落，从而使得触控面板的良率下降。

发明内容

本发明提供了一种触控面板，所述触控面板包括：

基板；

依次层叠设置在所述基板的表面上的低温多晶硅层、第一绝缘层、栅极及第二绝缘层；

源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述第二绝缘层上，且所述源极和所述漏极间隔设置，所述源极及所述漏极分别通过通孔与所述低温多晶硅层相连；

平坦层，层叠设置在所述源极、所述漏极及所述第二绝缘层上，所述平坦层设置有第一贯孔，所述第一贯孔对应所述漏极设置；

填充部，填充所述第一贯孔，且所述填充部与所述漏极电连接；

第三绝缘层，层叠设置在所述平坦层上，所述第三绝缘设置有第二贯孔，所述第二贯孔对应所述填充部设置；

像素电极，设置在所述第三绝缘层上且通过所述第二贯孔与所述填充部电连接。

其中，所述填充部包括第一部分及与所述第一部分相连的第二部分，所述第一部分穿过所述第一贯孔与所述漏极电连接，所述第二部分设置在所述平坦层上且覆盖所述第一贯孔。

其中，所述触控面板还包括遮光层，所述遮光层设置在所述基板的表面上，所述低温多晶硅层通过所述遮光层设置在所述基板的表面上，且所述低温多晶硅层设置在所述遮光层的中部。

其中，所述触控面板还包括触控接收线及触控发射线，所述触控接收线用于接收检测信号，以检测所述触控面板上的触控动作以及触控动作的位置，所述触控发射线用于将表征触控动作及触控位置的信号传输至一芯片，所述触控接收线及所述触控发射线中的至少一条线包括第一透明导线及金属丝线，所述金属丝线设置在所述平坦层上，且所述金属丝线与所述第一透明导线电连接。

其中，所述填充部的材料为金属，所述填充部与所述金属丝线同时形成。

相较于现有技术，本发明触控面板通过在平坦层上设置第一贯孔，并在第一贯孔内填充所述填充部，所述填充部与所述漏极电连接，所述第三绝缘层上设置第二贯孔，所述第二贯孔对应所述填充部设置。当所述像素电极与所述漏极相连时，所述像素电极仅需通过第二贯孔与所述填充部电连接即可。换句话说，通过在平坦层上设置第一贯孔以及在第一贯孔内填充所述填充部以减小所述像素电极与所述漏极之间的深度，从而使得所述像素电极与所述漏极相连时，所述像素电极不容易断线和脱落，从而提高了所述触控面板的良率。进一步地，由于所述填充部的材质为金属或者合金，其阻值小于为透明金属氧化物的像素电极，因此，相较于现有技术中的像素电极直接与漏极相连，本发明的所述像素电极通过所述填充部与所述漏极相连时，能够减小像素电极与所述漏极之间的电阻值。

本发明提供了一种触控面板，所述触控面板包括：

基板；

依次层叠设置在所述基板的表面上的低温多晶硅层及第一绝缘层；

层叠设置在所述第一绝缘层上的两个第一类型重掺杂区域，且两个所述第一类型重掺杂区域间隔设置；

第二绝缘层，设置在所述第一类型重掺杂区域上；

依次层叠设置在所述第二绝缘层上的栅极及第三绝缘层；

源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述第三绝缘层上，且所述源极和所述漏极间隔设置，所述源极及所述漏极分别通过通孔与所述第一类型重掺杂区域相连；

平坦层，层叠设置在所述源极、所述漏极及所述第三绝缘层上，所述平坦层设置有第一贯孔，所述第一贯孔对应所述漏极设置；

填充部，填充所述第一贯孔，且所述填充部与所述漏极电连接；

第四绝缘层，层叠设置在所述平坦层上，所述第四绝缘层设置有第二贯孔，所述第二贯孔对应所述填充部设置；