[发明专利]高致密导电氧化铌靶材的生产方法在审
| 申请号： | 201410843188.6 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104496473A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 宋爱谋;钟小亮 | 申请（专利权）人： | 山东昊轩电子陶瓷材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司37212 | 代理人： | 马俊荣 |
| 地址： | 255100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 致密 导电 氧化 铌靶材 生产 方法 | ||
1.一种高致密导电氧化铌靶材的生产方法，其特征在于步骤如下：
(1)选择五氧化二铌粉和金属铌粉作为原料按照配比放入V型混料机中混料；
(2)将混好的粉体原料放入高能球磨罐中球磨；
(3)将球磨好的粉体放入高纯石墨模具中，粉体下部用氧化锆陶瓷纸将粉体与石墨下压头隔离，粉体上部用氧化锆陶瓷纸将粉体与石墨垫片隔离，粉体预压1-5吨；
(4)将石墨模具放入热压炉中，将炉内真空度抽至1-100Pa，充入0.1-1atm的高纯氩气；
(5)按照升温速率为100-300℃/小时将炉内温度升至500-800℃，保温0.5-2小时，将炉内真空度抽至1-100Pa，充入0.1-1atm的高纯氩气；
(6)给模具施压5-20MPa，然后按照升温速率为100-300℃/小时升温至950-1150℃，温度均匀化0.5-2小时，再给模具施压20-50MPa，保压保温1-4小时；
(7)将温度降至500-800℃，降温速率为50-200℃/小时，降温过程中保压10-30MPa；
(8)关闭电源随炉冷，温度降至20-100℃时，取出靶材坯料；
(9)将坯料加工成规定形状的靶材；
(10)检测靶材的密度、纯度、电阻率。
2.根据权利要求1所述的高致密导电氧化铌靶材的生产方法，其特征在于步骤(1)中所述的五氧化二铌粉的纯度为99.99-99.999％，平均粒径为1-20微米。
3.根据权利要求1所述的高致密导电氧化铌靶材的生产方法，其特征在于步骤(1)中所述的金属铌粉的纯度为99.99-99.999％，平均粒径为1-100微米。
4.根据权利要求1所述的高致密导电氧化铌靶材的生产方法，其特征在于步骤(1)中所述的金属铌的重量百分比为0.01-20％，余量为五氧化二铌。
5.根据权利要求1所述的高致密导电氧化铌靶材的生产方法，其特征在于步骤(1)中所述的混料时间为10-30分钟。
6.根据权利要求1所述的高致密导电氧化铌靶材的生产方法，其特征在于步骤(2)中所述的球磨时间为4-24小时。
7.根据权利要求1所述的高致密导电氧化铌靶材的生产方法，其特征在于步骤(10)中所述的靶材的相对密度为99-100％。
8.根据权利要求1所述的高致密导电氧化铌靶材的生产方法，其特征在于步骤(10)中所述的靶材的纯度为99.99-99.999％。
9.根据权利要求1所述的高致密导电氧化铌靶材的生产方法，其特征在于步骤(10)中所述的靶材的电阻率为0.01-0.2Ω·cm。
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