[发明专利]一种多芯片三维混合封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种多芯片三维混合封装结构，其特征在于，主要由下层芯片(3)、芯片凸点(4)、下层塑封体(5)、电路层(6)、粘片胶(7)、上层芯片(8)、焊线(9)、上层塑封体(10)和电极(12)组成；所述下层塑封体(5)包封下层芯片(3)，下层芯片(3)正面朝上，下层芯片(3)带有的芯片凸点(4)露出下层塑封体(5)的表面；下层塑封体(5)表面布线形成有电路层(6)，电路层(6)的走线区域通过粘片胶(7)粘贴有上层芯片(8)，焊线(9)连接上层芯片(8)与电路层(6)，上层塑封体(10)包封上层芯片(8)、电路层(6)和焊线(9)；下层塑封体(5)有通孔(11)，通孔(11)上部是电路层(6)的电极金属，通孔(11)填充有金属，形成电极(12)。

2.根据权利要求1所述的一种多芯片三维混合封装结构，其特征在于，下层芯片(3)的上表面和芯片凸点(4)之间由下层塑封体(5)包封，芯片凸点(4)通过贴膜塑封的方式露出下层塑封体(5)表面10um。

3.根据权利要求1所述的一种多芯片三维混合封装结构，其特征在于，下层芯片(3)是一个或多个相同厚度的芯片。

4.根据权利要求1所述的一种多芯片三维混合封装结构，其特征在于，上层芯片(8)是一个或多个正装芯片打线焊接。

5.一种多芯片三维混合封装结构的制备方法，其特征在于，其按照以下步骤进行：

步骤一：在载具(1)上涂贴片胶层(2)，将带有芯片凸点(4)的下层芯片(3)正面朝上贴于载具(1)上；

步骤二：将下层芯片(3)塑封于下层塑封体(5)中，下层芯片(3)的芯片凸点(4)露出下层塑封体(5)表面；

步骤三：在下层塑封体(5)表面布线，可以选用电镀、溅射或直接印刷铜箔方式形成中间电路层(6)；

步骤四：在电路层(6)的走线区域涂粘片胶(7)，将上层芯片(8)贴于粘片胶(7)上，通过焊线(9)完成上层芯片(8)与电路层(6)的电气连接；

步骤五：将上层芯片(8)、电路层(6)及焊线(9)包封于上层塑封体(10)中，同时通过研磨或蚀刻方式去除下层载具(1)和贴片胶层(2)；

步骤六：在下层塑封体(5)的相应位置开通孔(11)，露出中间电路层(6)的电极金属区域；

步骤七：在通孔(11)通过注入金属，引出相应电极(12)。

6.根据权利要求5所述的一种多芯片三维混合封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤一的载具(1)是长方形或者圆形；载具(1)材质为玻璃、有机胶膜、硅片或金属。

7.根据权利要求5或者6所述的一种多芯片三维混合封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤五的载具(1)若选用金属，载具(1)可作为散热片保留。

8.根据权利要求5所述的一种多芯片三维混合封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤六的开通孔(11)方式为机械开孔或激光开孔。

9.根据权利要求5所述的一种多芯片三维混合封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤七通过植球、锡膏印刷、电镀、化学镀或溅射铜方式引出电极(12)。