[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底、位于所述 半导体衬底内的P阱、并列设置于所述P阱内的N型漂移区与P型 注入区以及位于所述半导体衬底上且位于所述N型漂移区与所述P 型注入区的上方的栅极结构，还包括位于所述P阱内且与所述N型 漂移区的靠近所述P型注入区的一侧相交叠的P型附加区，其中所述 P型附加区的靠近所述P型注入区的一侧到所述P型注入区的距离小 于所述N型漂移区的靠近所述P型注入区的一侧到所述P型注入区 的距离。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述P型附 加区与所述P型注入区的掺杂离子相同，和/或，所述P型附加区与 所述P型注入区的掺杂浓度相同。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，形成所述P 型附加区的离子注入过程与形成所述N型漂移区的离子注入过程采 用同一掩膜进行，其中，在形成所述P型附加区的过程中，离子注入 的能量为600KeV，离子注入的倾角为3～10度。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述N型漂 移区的靠近所述P型注入区的一侧到所述P型注入区的距离为 0.3um，所述P型附加区的靠近所述P型注入区的一侧到所述P型注 入区的距离为0.1～0.15um。

5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供包括P阱的半导体衬底，通过离子注入在所述P 阱内形成P型附加区；

步骤S102：通过离子注入在所述P阱内形成N型漂移区，其中 所述N型漂移区的靠近拟形成的P型注入区的一侧与所述P型附加 区相交叠；

步骤S103：通过离子注入在所述P阱内形成与所述N型漂移区 并列设置的P型注入区，其中所述P型附加区的靠近所述P型注入 区的一侧到所述P型注入区的距离小于所述N型漂移区的靠近所述P 型注入区的一侧到所述P型注入区的距离；

步骤S104：在所述半导体衬底上形成位于所述N型漂移区和所 述P型注入区的上方的栅极结构。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述步骤S101中的离子注入与所述步骤S102中的离子注入采用同一 掩膜实现，其中，所述步骤S101中的离子注入的倾角为3～10度，所 述步骤S102中的离子注入的倾角为0度。

7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述步骤S101包括：

步骤S1011：在所述半导体衬底上形成用于形成掩膜层；

步骤S1012：以预设倾角对所述P阱进行P型离子注入以形成P 型附加区，其中所述预设倾角为3～10度。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 在所述步骤S1012中，所述预设倾角为7度。

9.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 在所述步骤S1012中，离子注入的能量为600KeV。

10.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 在所述步骤S102中，利用所述掩膜层对所述P阱连续进行三次的离 子注入，其中，第一次离子注入的能量为600KeV，第二次离子注入 的能量为280KeV，第三次离子注入的能量为30KeV，并且三次离 子注入的倾角均为0度。

11.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述P型附加区与所述P型注入区的掺杂离子相同，和/或，所述P 型附加区与所述P型注入区的掺杂浓度相同。

12.一种电子装置，其特征在于，包括半导体器件以及与所述半 导体器件相连接的电子组件，其中所述半导体器件包括半导体衬底、 位于所述半导体衬底内的P阱、并列设置于所述P阱内的N型漂移 区与P型注入区以及位于所述半导体衬底上且位于所述N型漂移区 与所述P型注入区的上方的栅极结构，还包括位于所述P阱内且与所 述N型漂移区的靠近所述P型注入区的一侧相交叠的P型附加区， 其中所述P型附加区的靠近所述P型注入区的一侧到所述P型注入 区的距离小于所述N型漂移区的靠近所述P型注入区的一侧到所述P 型注入区的距离。