[发明专利]一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及微电子封装技术领域，具体是一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板及其制造方法。

背景技术

随着FlipChip封装技术的日渐成熟，塑封采用MUF工艺对bump区域进行填充，由于MUF工艺采用填充颗粒很小的塑封料，一般小于20um，这样不可避免的造成塑封过程中基板外围产生溢料，影响塑封自动出料及后面工序的自动上下料，导致UPH低下。虽然现有一种通过改变模具设计，在垂直于外围排气槽设计一排缓冲区域来减少溢料，但不可避免的要投资新模具，并且模具设计的这个凹槽清模困难，很容易造成塑封料残留，影响排气效果，造成排气不畅。在产品外形上模具的凹槽位置对应的基板位置形成了一个条状凸起，后面工序的进出料系统必须改造，需要资金投入。

发明内容

本发明是基于基板设计来改善MUF工艺溢料问题，通过在基板外围排气槽位置设计一条垂直于排气槽的凹槽，使得溢料部分留在基板凹槽内，不扩散到基板外围，并且凹槽内的溢料与基板向平，从而不影响自动上下料，本发明无需投资，可以在基板设计之初设计这个凹槽，也可以利用激光对来料的基板进行凹槽处理。

一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板，由基板和基板凹槽组成，所述基板凹槽在基板的外沿面的内侧。

所述凹槽深度大于20um，宽度大于20um。

一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板的制造方法，在基板的外沿面的内侧制作基板凹槽。

附图说明

图1为基板上带有凹槽的主视图；

图2为基板上带有凹槽的右视图。

图中，1为基板，2为基板凹槽。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步的描述。

如图1和图2所示，一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板，由基板1和基板凹槽2组成，所述基板凹槽2在基板1的外沿面的内侧。

所述基板凹槽2深度大于20um，宽度大于20um。

一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板的制造方法，在基板1的外沿面的内侧制作基板凹槽2。