[发明专利]各向异性磁阻及提升各向异性磁阻Z轴敏感度的制备方法

权利要求书

1.一种提升各向异性磁阻Z轴敏感度的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供基片，所述基片中形成有沟槽，所述沟槽的侧壁上形成有侧壁磁阻，所述基片的表面形成有表面磁阻，所述侧壁磁阻与表面磁阻相连构成垂直磁阻；

在所述垂直磁阻的表面形成刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层的表面形成补偿磁阻；

刻蚀位于所述基片上的补偿磁阻，保留位于所述沟槽侧壁上的补偿磁阻。

2.如权利要求1所述的提升各向异性磁阻Z轴敏感度的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材质为氮化硅。

3.如权利要求1所述的提升各向异性磁阻Z轴敏感度的制备方法，其特征在于，采用各向异性刻蚀去除位于所述基片上的补偿磁阻。

4.如权利要求3所述的提升各向异性磁阻Z轴敏感度的制备方法，其特征在于，去除位于所述基片上的补偿磁阻之后，再采用干法刻蚀去除位于表面磁阻上的刻蚀阻挡层。

5.如权利要求1所述的提升各向异性磁阻Z轴敏感度的制备方法，其特征在于，所述垂直磁阻的形成步骤包括：

在所述基片及沟槽的表面上形成磁性材料；

刻蚀所述磁性材料，去除所述沟槽表面预定区域以及沟槽底部的磁性材料，形成所述垂直磁阻。

6.如权利要求5所述的提升各向异性磁阻Z轴敏感度的制备方法，其特征在于，所述磁性材料为镍铁合金。

7.如权利要求1所述的提升各向异性磁阻Z轴敏感度的制备方法，其特征在于，在所述垂直磁阻的表面形成刻蚀阻挡层的步骤包括：

在所述垂直磁阻、基片及沟槽的表面形成刻蚀阻挡层；

刻蚀位于所述基片及沟槽表面的刻蚀阻挡层，保留位于所述垂直磁阻表面的刻蚀阻挡层。

8.如权利要求1所述的提升各向异性磁阻Z轴敏感度的制备方法，其特征在于，在所述刻蚀阻挡层的表面形成补偿磁阻的步骤包括：

在所述基片、沟槽及刻蚀阻挡层的表面形成磁性材料；

各向异性刻蚀所述磁性材料，去除位于所述基片和沟槽表面的磁性材料，保留位于所述刻蚀阻挡层表面的磁性材料，形成补偿磁阻。

9.如权利要求8所述的提升各向异性磁阻Z轴敏感度的制备方法，其特征在于，所述补偿磁阻为镍铁合金。

10.如权利要求1所述的提升各向异性磁阻Z轴敏感度的制备方法，其特征在于，所述基片的材质为硅。

11.一种各向异性磁阻结构，采用如权利要求1至10中任一项制备方法形成，其特征在于，包括：基片、沟槽、侧壁磁阻、表面磁阻、刻蚀阻挡层及补偿磁阻，其中，所述沟槽形成在所述基片中，所述侧壁磁阻形成在所述沟槽的侧壁表面，所述表面磁阻形成在所述基片上，并与所述侧壁磁阻相连，所述刻蚀阻挡层形成在所述侧壁磁阻的表面，所述补偿磁阻形成在所述刻蚀阻挡层的表面。