[发明专利]抗瞬态冲击的漏电保护集成电路内部偏置电路

说明书

本发明涉及集成电路设计领域，具体为一种可以抵御瞬间高脉冲电压、电流冲击的抗瞬态冲击的漏电保护集成电路内部偏置电路，包括供电电路和基准偏置电路两部分，所述供电电路是由稳压二极管和高压瞬态泻放回路组成，电路中电压逐渐增大，当达到VD1+VD2+VD3的串联击穿电压时，电压继续增大，则功率管VN2开始导通，多余的电流将通过此功率管泻放，从而增强了电路抗冲击能力；基准偏置电路是由一个恒流器件及VN4、VN5、VN3、R4组成的电流电源共同组成。

技术领域

本发明涉及集成电路设计领域，具体为一种抗瞬态冲击的漏电保护集成电路内部偏置电路。

背景技术

传统的漏电保护集成电路的结构中包括了供电部分和基准偏置电路部分。所述供电部分由一个电阻和多个稳压二极管串联组成，当电路中有瞬间脉冲高电压冲击时，电路仅仅是通过稳压管反向泻放来应对，抗冲击能力较弱；所述基准偏置电路部分是由一个简单的稳压管加三极管组成，此种电路对电压十分敏感，因而电路稳定性较弱。

随着国内外家用电器的使用越来越普遍，电网上的瞬态冲击和其它干扰信号越来越多，尤其是感性负载产生的高压脉冲严重污染电网，同时对漏电保护电路或漏电保护开关形成威胁，严重的可使得漏电保护集成电路损坏从而引起漏电保护开关失效，导致人员的触电事故。

发明内容

针对现有技术中的问题，本发明提供一种可以抵御瞬间高脉冲电压、电流冲击的抗瞬态冲击的漏电保护集成电路内部偏置电路。

为了达到上述目的，本发明的技术方案是：一种抗瞬态冲击的漏电保护集成电路内部偏置电路，包括供电电路和基准偏置电路两部分。所述供电电路是由稳压二极管VD1、VD2、VD3和高压瞬态泻放回路组成，高压瞬态泄放回路包括功率管VN2、电阻VR1、VR2，基准偏置电路是由一个恒流器件及功率管VN4、VN5、VN3、电阻VR4组成的电流电源共同组成，恒流器件采用JFET管Q1；电阻VR1的一端与功率管VN2的集电极、JFET管Q1的漏极相连，另一端与稳压二极管VD1的阴极相连，稳压二极管VD1的阳极与稳压二极管VD2的阴极相连，稳压二极管VD2的阳极与稳压二极管VD3的阴极相连，稳压二极管VD3的阳极与功率管VN2的基极、电阻VR2的一端相连，电阻VR2的另一端与功率管VN2的发射极、JFET管Q1的栅极、功率管VN3的发射极、电阻VR4的一端相连，功率管VN3的基极和集电极均与功率管VN4的发射极相连，功率管VN4的集电极、基极、功率管VN5的基极均与JFET管Q1的源极相连，功率管VN5的发射极与电阻VR4的另一端相连；电路中电压逐渐增大，当达到VD1+VD2+VD3的串联击穿电压时，电压继续增大，则功率管VN2开始导通，多余的电流将通过此功率管VN2泻放，从而增强了电路抗冲击能力,功率管VN4、VN5、VN3、电阻VR4组成的电流源对电源的波动进一步起到对数衰减的作用。

根据上述方案可以看出本发明具有如下优点：此种设计采用了抑制电源变化的方式，从而增强了电路的稳定性，供电电路由稳压二极管和高压瞬态泻放回路组成，增强了电路抗瞬间冲击能力，偏置基准电路设计中采用了抑制电源变化的方式，JFET起到了一个恒流器件的作用，VN4、VN5、VN3、VR4组成的电流源对电源的波动进行了对数衰减，增强了电路的稳定性，综上所述，新的漏电保护集成电路不但抗瞬间冲击能力增强，而且电路对电源波动的反应小，增强了电路的稳定性。

附图说明

图1为传统的抗瞬态冲击能力弱的漏电保护集成电路内部偏置电路的电路图。

图2为本发明的抗瞬态冲击的漏电保护集成电路内部偏置电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明。