[发明专利]一种显示面板在审
申请号: | 201410844275.3 | 申请日: | 2014-12-25 |
公开(公告)号: | CN104600093A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 未治奎 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201506 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及显示器领域,确切的说,涉及一种具有高效光利用率的显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器是一种显示装置,通过对有机发光层施加电压以将电子和空穴相结合,从而激发有机发光层中的电子,使得有机发光层以可见光的形式发射光子而形成图像。与其他平板显示器相比,OLED具有成本低、全固态、主动发光、对比度高、视角宽、响应速度快、厚度薄、低电压直流驱动、功耗低的优势。目前,增加光取出量是OLED未来发展以及商业化的核心,因为它直接影响到OLED的光效以及使用寿命(life time)。
随着人们对OLED需求的愈发旺盛,一种新型的AMOLED(主动矩阵有机发光二极体面板)显示技术被开发出来,AMOLED屏幕色彩艳丽且功耗较低,采用AMOLED屏幕的电子设备可以做的很轻薄,目前已经广泛应用到手机、平板电脑等电子显示设备中。
我们知道光路只要满足:①光从光密介质射到它与光疏介质的界面上,②入射角等于或大于临界角,两个条件都满足就组成了发生全反射的充要条件。折射定律:n1*sinθ1=n2*sinθ2,同时空气折射率约为1,n2=sinθ1/sinθ2,光密到光疏介质传播,折射角≥90°即发生全反射,其反射过程可参照图1所示。由于OLED中的折射率匹配层(Index Matching layer)的折射率n=1.9,这就很容易产生全反射,因此导致了显示器对光的利用率有限。
图2a和2b为AMOLED发光层剖面图,参照图2a所示,其定义有封装区A1和有源区(active area,或称AA区)A2。其中,在有源区A2的底层基板10上设置有绝缘层11,在绝缘层11之上设置有信号线12,该信号线12的一端穿过绝缘层11与源(source)/漏(drain)极形成接触,PDL(pixel define layer,像素定义层)层18覆盖在绝缘层11和信号线13之上,并通过阳极材料层13将信号线12进行引出;阳极材料层13之上依次覆盖有OLED器件层14;PLN层18的上方设置有PDL层16以及位于PDL层16之上的PS(photo spacer,间隙控制材料层)层17,一阴极材料层15覆盖在OLED器件层14、PDL层16和PS层17暴露的表面上。图2a中的实线箭头表示为光线的反射路径,全反射角为38.7°。图2b示出了在基板20上方设置有底部栅极21和顶部栅极22,在底部栅极21和顶部栅极22均连接一底部电极23。底部电极23还连接一顶部电极24,顶部电极24的部分上表面还设置有一光电二极管层(Photoelectric diode,PD)25。
由于光线在器件在向上的路径受到其他因素的影响较小,很容易反射至器件以外区域,这影响了光线的利用率。
发明内容
根据现有技术中的不足,本发明提供了一种新型的显示面板,通过在折射率匹配层(Index Matching layer)加入高折射率的物质来破坏光路的全反射,并在发光区域的侧面也加入反射粒子,以达到提高光取出率的效果。为了实现以上技术效果,本发明采用的技术方案为:
一种显示面板,其中,包括:
阳极材料层,配置在一基板之上;
发光层,配置在所述阳极材料层之上;
像素定义层,配置在所述基板之上且在相邻所述发光层之间;
反射材料层,配置在各所述发光层侧壁与所述像素定义层之间;以及
阴极材料层,配置在所述发光层、像素定义层和反射材料层之上。
上述的显示面板,其中,所述反射材料层包括TiO2、BaSO4、PMMA中的一种或多种材料。
上述的显示面板,其中,还包括:
折射率匹配层,配置在所述阴极材料层顶部,所述折射率匹配层中添加有反射粒子。
上述的显示面板,其中,所述反射粒子为PMMA。
上述的显示面板,其中,在所述阳极材料层之上配置的所述发光层至少包括有红、绿、蓝三种颜色。
上述的显示面板,其中,所述反射材料层将所述阳极材料层和所述发光层的侧壁进行覆盖。
上述的显示面板,其中,所述基板为玻璃基板。
上述的显示面板,其中,所述显示面板为主动矩阵有机发光二极体面板(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,AMOLED)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的