[发明专利]一种实现均匀排气的等离子体处理装置

权利要求书

1.一种实现均匀排气的等离子体处理装置，包括多个相邻排列的等离子体处理腔室及一共享的排气泵，每个所述等离子体处理腔室内设置一用于支撑基片的基座，每个所述等离子体处理腔室内环绕所述基座的外围设置一等离子体约束装置，每个所述等离子体约束装置下方设有排气区域；所述等离子体约束装置上设置若干气体通道，用于将气体排放至排气区域，其特征在于：所述多个等离子体处理腔室的排气区域至少部分相互邻近并且相互流体连通，以构成一相邻排气区域，所述共享的排气泵设置于所述相邻排气区域的下方，并同时与所述每一个等离子体处理腔室的排气区域相互流体连通；每个所述等离子体约束装置包括第一区域和第二区域，所述第一区域为对应位于所述相邻排气区域上方的区域，所述第二区域为除所述第一区域之外的区域，每个所述等离子体约束装置的第一区域内的气体通道的长度大于所述第二区域的气体通道的长度，使得气体在经过所述第一区域内的气体通道时所用的时间大于气体经过所述第二区域内的气体通道时所用的时间；

所述等离子体约束装置包括环绕所述气体通道设置的导流主体，所述导流主体具有两个平行的上表面和下表面，所述等离子体约束装置第一区域内的每条贯通所述导流主体的气体通道包括至少第一段气体通道和第二段气体通道，所述第一段气体通道和第二段气体通道相连通并在连接处形成一拐角；所述等离子体约束装置第二区域内的气体通道在贯穿所述导流主体的上下表面的方向上为长直通道。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一区域内的第一段气体通道垂直于所述导流主体的上表面，所述第二段气体通道与所述导流主体的下表面呈非90°夹角。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一段气体通道和所述第二段气体通道与所述导流主体的上表面和下表面呈非90°夹角。

4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述气体通道为环状槽形通道，所述导流主体包括若干同心圆环和将所述若干同心圆环连接的连接架，所述导流主体靠近所述排气区域的一端为导流主体底部，所述连接架设置在所述导流主体底部。

5.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述气体通道为设置在所述导流主体上的孔状气体通道，所述等离子体约束装置第一区域内的气体通道设置位于同一水平位置的拐角。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述等离子体约束装置的气体通道长度由第二区域向第一区域逐渐变大，所述气体通道上设置水平位置逐渐升高的拐角。

7.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一区域内的气体通道的第二段气体通道靠近所述排气区域的一端向所述基座方向倾斜。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述等离子体约束装置的第一区域下方设置一向基座倾斜的挡板。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述挡板的位置和倾斜角度可调。