[发明专利]一种实现均匀排气的等离子体处理设备

权利要求书

1.一种实现均匀排气的等离子体处理设备，包括多个相邻排列的等离子体处理腔室及一共享的排气泵，每个所述等离子体处理腔室内设置一用于支撑基片的基座，每个所述等离子体处理腔室内环绕所述基座的外围设置一等离子体约束装置，每个所述等离子体约束装置下方设有排气区域；所述等离子体约束装置包括一导流主体和设置在所述导流主体上的若干气体通道，用于将气体排放至排气区域，其特征在于：所述多个等离子体处理腔室的排气区域至少部分相互邻近并且相互流体连通，以构成一相邻排气区域，所述共享的排气泵设置于所述相邻排气区域的下方，并同时与每个所述等离子体处理腔室的排气区域相互流体连通；每个所述等离子体约束装置包括第一区域和第二区域，所述第一区域为对应位于所述相邻排气区域上方的区域，所述第二区域为除所述第一区域之外的区域，所述第一区域和第二区域气体通道在贯穿所述导流主体的上下表面的方向上为长直通道，所述第一区域的导流主体厚度大于所述第二区域的导流主体厚度，使得气体在经过所述第一区域内的气体通道时所用的时间大于气体经过所述第二区域内的气体通道时所用的时间。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于：所述气体通道为环形槽状气体通道，所述导流主体包括若干同心圆环和将所述若干同心圆环连接的连接架。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理设备，其特征在于：所述等离子体约束装置第二区域的同心圆环厚度相同，所述第一区域的同心圆环的厚度逐渐增加，所述第一区域的气体通道长度逐渐增大。

4.根据权利要求2所述的等离子体处理设备，其特征在于：所述等离子体约束装置自第二区域到第一区域，所述同心圆环的厚度逐渐增加，所述气体通道长度逐渐增大。

5.根据权利要求3或4所述的等离子体处理设备，其特征在于：所述连接架呈辐射状位于所述同心圆环的底部，所述等离子体约束装置第一区域的同心圆环下方的所述连接架呈一定角度倾斜。

6.根据权利要求3或4所述的等离子体处理设备，其特征在于：所述导流主体靠近排气区域的一端位于同一水平面上，所述连接架呈辐射状位于所述同心圆环的靠近排气区域的一端，所述等离子体约束装置第一区域的导流主体在靠近所述等离子体处理区域的一端高度由内向外呈阶梯状增加。

7.根据权利要求3或4所述的等离子体处理设备，其特征在于：所述导流主体靠近所述等离子体处理区域的一端位于同一水平面上，所述等离子体约束装置第一区域的导流主体在靠近所述排气区域的一端高度呈阶梯状增加，所述连接架呈辐射状位于所述同心圆环靠近所述等离子体处理区域一端。

8.根据权利要求3或4所述的等离子体处理设备，其特征在于：每个所述等离子体约束装置的第一区域内的环状槽型气体通道的通道宽度小于所述第二区域内的通道宽度。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述等离子体约束装置的第二区域到第一区域，所述环形槽状气体通道的通道宽度逐渐变小。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于：所述气体通道为设置在所述导流主体上的若干长直孔，所述等离子体约束装置第一区域的孔状气体通道长度大于第二区域的孔状气体通道长度。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理设备，其特征在于：自所述等离子体约束装置第二区域向第一区域所述导流主体厚度逐渐变大，对应所述孔状气体通道的长度逐渐变大。

12.根据权利要求10所述的等离子体处理设备，其特征在于：自所述等离子体约束装置第二区域向第一区域，所述导流主体厚度呈阶梯状增加，对应所述孔状气体通道的长度呈阶梯状增加。