[发明专利]晶圆级封装的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造方法，尤其涉及一种晶圆级封装的制造方法。

背景技术

随着芯片功能越来越多，对于封装的要求也越来越高，倒装、叠层已经成为趋势。在倒装、叠层的同时，还要求封装厚度尽量薄，这样就一定程度上要求芯片封装时尽量薄，从而造成加工过程的风险。

发明内容

在下文中给出关于本发明的简要概述，以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分，也不是意图限定本发明的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本发明实施例的目的是针对上述现有技术的缺陷，提供一种在满足芯片封装厚度尽量薄的同时降低加工过程风险的晶圆级封装的制造方法。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案是：

一种晶圆级封装的制造方法，包括以下步骤：

在第一芯片上形成光刻胶；

在所述光刻胶上形成多个开口部，露出所述第一芯片的功能面；

在多个第一芯片的功能面上形成凸点下金属层；

去除第一芯片上的光刻胶；

将所述第二芯片的功能凸点与第一芯片上的一部分所述凸点下金属层连接；

在所述第一芯片和所述第二芯片之间形成填充层；

在所述第一芯片上的另一部分的所述凸点下金属层上植焊球，所述焊球的顶部高于所述第二芯片的顶部。

相比于现有技术，本发明的有益效果至少包括：

在第一芯片上形成凸点下金属层，一部分凸点下金属层上植焊球，再将第一芯片和第二芯片面对面设置，由此组成的芯片结构在后续倒装工艺中，利用了第一芯片上的焊球与第二芯片形成的高度差，就可以将芯片结构倒装，而不破坏芯片结构，即倒装时不会损坏第二芯片，降低了加工过程中的风险。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的晶圆级封装的制造方法的流程图；

图2为本发明实施例提供的第一步在第一芯片上涂光刻胶的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的第二步涂层曝光和显影后的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的第三步形成凸点下金属层的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的第四步去除光刻胶后的的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的第五步倒装芯片回流后的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的第六步形成填充层的结构示意图；

图8为采用本发明晶圆级芯片制作方法制造的晶圆级芯片结构的一种结构示意图；

图9为采用本发明晶圆级芯片制作方法制造的晶圆级芯片结构的另一种结构示意图。

附图标记：

1-第一芯片；2-第二芯片，21-功能凸点；3-凸点下金属层；4-焊球；5-填充层；6-光刻胶；61-开口部。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。在本发明的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本发明无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明以下各实施例中，实施例的序号和/或先后顺序仅仅便于描述，不代表实施例的优劣。对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

参见图1，一种晶圆级封装的制造方法，包括以下步骤：

S101：在第一芯片1上形成光刻胶6(参见图2)；

S102：在光刻胶2上形成多个开口部61，露出第一芯片1的功能面(参见图3)；

S103：在多个第一芯片1的功能面上形成凸点下金属层3(参见图4)；

S104：去除第一芯片1上的光刻胶6(参见图5)；