[发明专利]显示面板及显示装置有效
申请号: | 201410844739.0 | 申请日: | 2014-12-29 |
公开(公告)号: | CN104460137B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 谢惠敏;吴昊 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 刘松 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板及一种显示装置。
背景技术
在平板显示装置中,薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点,在当前的平板显示器市场占据了主导地位。
目前,TFT-LCD的显示模式主要有TN(Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment,垂直取向)模式、IPS(In-Plane-Switching,平面方向转换)模式和FFS(Fringe Field Switching,边缘场开关)模式,等等。
FFS模式是一种能够扩宽视角的液晶显示模式,如图1a和图1b所示,FFS型TFT-LCD的显示面板被划分为呈阵列分布的多个像素单元,主要包括阵列基板1、彩膜基板2及液晶层(图中未示出)。设置在阵列基板1上的公共电极11为板状电极,像素电极12为条状电极,像素电极12与公共电极11之间通过绝缘层13隔离,并且,像素电极12与彩膜基板2的色阻21位置相对,彩膜基板2上还设置有用于间隔相邻色阻21的黑矩阵22。当施加电压时,像素电极12与公共电极11之间形成平行电场。
上述现有技术存在的缺陷在于,随着显示面板中像素的高精细化,像素单元的宽度变得越来越小,相应的,相邻像素单元的相邻像素电极12a、12b的间距也变得越来越小,当像素电极12a、12b的间距较小时,彩膜基板2的黑矩阵22下方的液晶分子会产生较大的偏转,从而导致显示装置在斜视时出现色偏现象,显示效果不够理想。为克服上述缺陷,通常将像素电极12a、12b的间距设计的足够大,然而,这又削弱了黑矩阵22边缘处的电场,使得黑矩阵22边缘下方液晶分子的偏转明显减小,从而降低了黑矩阵22边缘处的透过率,使得黑矩阵22边缘处的亮度较低,显示装置的显示效果仍然不够理想。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种显示面板及一种显示装置,以在不降低显示装置正视亮度的前提下,改善显示装置的斜视色偏现象,提高显示装置的显示效果。
本发明实施例所提供的显示面板,被划分成呈阵列排布的多个像素单元,所述显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板,其中:所述阵列基板包括通过绝缘层隔离的第一电极以及对应每个像素单元所设置的第二电极;所述彩膜基板包括黑矩阵以及对应每个像素单元所设置的色阻;
所述阵列基板还包括与所述第一电极电位相同的第三电极,所述第三电极位于相邻两个像素单元之间的分界区域,与所述黑矩阵位置相对,且与所述第一电极不同层设置。
在本发明实施例的技术方案中,阵列基板还包括与第一电极电位相同的第三电极,第三电极位于相邻两个像素单元之间的分界区域,与黑矩阵位置相对,且与第一电极不同层设置。由于第一电极与第二电极电位不同,而第三电极与第一电极电位相同,因此,第三电极与相邻的第二电极之间形成电场,从而将相邻两个像素单元的相邻第二电极隔离。采用该技术方案,彩膜基板的黑矩阵下方的液晶分子偏转较小,因此,显示装置在斜视时的色偏现象得以改善。此外,第三电极与相邻第二电极之间形成的电场可以使黑矩阵边缘下方液晶分子的偏转增大,因此,提高了黑矩阵边缘处的透过率,黑矩阵边缘处的亮度有所提高。相比现有技术,本方案可以在不降低显示装置正视亮度的前提下,改善显示装置的斜视色偏现象,提高显示装置的显示效果。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括前述技术方案所述的显示面板。该显示装置在斜视以及正视时,均具有较佳的显示效果。
附图说明
图1a为现有显示面板中阵列基板的俯视结构示意图;
图1b为现有显示面板的像素单元的截面结构示意图;
图2a为本发明第一实施例显示面板中阵列基板的俯视结构示意图;
图2b为本发明第一实施例显示面板的像素单元的截面结构示意图;
图3为本发明第二实施例显示面板的像素单元的截面结构示意图;
图4为本发明第三实施例显示面板的像素单元的截面结构示意图;
图5为本发明第四实施例显示面板的像素单元的截面结构示意图;
图6为本发明第五实施例显示面板的像素单元的截面结构示意图;
图7a为黑矩阵下方液晶分子的α-t曲线对比图;
图7b为黑矩阵边缘下方液晶分子的α-t曲线对比图。
附图标记:
现有技术部分:
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