[发明专利]新型电接触材料及制备工艺

权利要求书

1.新型电接触材料及制备工艺，其特征在于：所述新型电接触材料包括作为动触头的Ag(W.Ti)C 42Co3 RE0.1和作为静触头的Ag(W.Ti)C19C2。

2.根据权利要求1所述的新型电接触材料及制备工艺，其特征在于：所述作为动触头的Ag(W.Ti)C 42Co3 RE0.1，原料质量百分比为：银53～55%，(W.Ti)C 41～45%，钴2.5～3.5%，添加物0.05～0.2%。

3.根据权利要求2所述的新型电接触材料及制备工艺，其特征在于：所述添加物是钇、铈、镧中的一种或几种。

4.根据权利要求2所述的新型电接触材料及制备工艺，其特征在于：所述作为动触头的Ag(W.Ti)C 42Co3 RE0.1制备工艺，步骤如下：

A、沉积金属钴，通过化学法在（W.Ti）C颗粒表面沉积一层金属钴，形成复合粉末，在600～750度氢气保护下热处理；

B、化学镀，对上述复合粉末按如下流程处理：碱处理、敏化处理、活化处理、化学镀；在化学镀过程中，形成以（W.Ti）C为核心，银包覆在（W.Ti）C粉表面的精细结构，银层厚度控制在0.1～0.2μm；

C、热处理，化学镀后粉末立即进行480～650度氢气保护下的热处理，热处理后粒度在2～4.5μm之间，银与（W.Ti）C粒结在一起形成较大的颗粒；

D、合格粉末成型，控制尺寸参数，从而控制最后成品的银含量，对成型后的坯体进行预烧处理，预烧处理采取电火花烧结技术，温度短时达到1000℃～1050℃的高温，并快速冷却；

E、熔渗银加入微量稀土，将银重新熔炼，向其中加入0.1%的Y稀土，将合格银材压力加工，最后冲压成计算好重时的银片，与步骤D所述坯料熔渗，可在氢气或真空环境下熔渗， 熔渗后坯料进行压力加工，经检验合格即为成品。

5.根据权利要求1所述的新型电接触材料及制备工艺，其特征在于：所述作为静触头的Ag(W.Ti)C19C2，原料质量百分比为：银78～81%，（W.Ti）C 17～20%，石墨1～3%，添加物0.05～0.15%。

6.根据权利要求5所述的新型电接触材料及制备工艺，其特征在于：所述添加物是钴、镓、锂中的一种或几种。

7.根据权利要求5所述的新型电接触材料及制备工艺，其特征在于：所述作为静触头的Ag(W.Ti)C19C2制备工艺，步骤如下：

采用化学镀工艺在(W.Ti)C表面全量镀银得复合粉末；

复合粉末热处理，温度为450℃～650℃；

成型及热处理；

冷压复成品。

8.根据权利要求2或5所述的新型电接触材料及制备工艺，其特征在于：所述(W.Ti)C粒度为0.7～4μm；在最终材料间距为0.1～0.7μm。