[发明专利]一种硒碲单晶复合光纤及其制备方法

权利要求书

1.一种硒碲单晶复合光纤，其特征在于：光纤包层材料为多组分磷酸盐玻璃，光纤纤芯材料为单晶态硒碲化合物。

2.根据权利要求1所述的硒碲单晶复合光纤，其特征在于：作为光纤包层材料的多组分磷酸盐玻璃，光纤拉制温度为620℃至670℃。

3.根据权利要求1所述的硒碲单晶复合光纤，其特征在于：光纤纤芯的单晶态硒碲化合物中硒的重量百分比为0%～100%。

4.制备权利要求1所述的硒碲单晶复合光纤的方法，其特征在于通过如下步骤制得：第一步是制备无定型态硒碲化合物纤芯的复合光纤，即采用拉制法，制备具有玻璃包层，无定型态硒碲化合物纤芯的复合光纤；第二步是光纤纤芯的单晶化，即将复合光纤中无定型态硒碲化合物纤芯转变为单晶态硒碲化合物纤芯。

5.根据权利要求4所述的硒碲单晶复合光纤的制备方法，其特征在于：第二步具体是：将纤芯为无定型态硒碲化合物复合光纤端面磨平、抛光处理后，在光纤端面对接一结晶完好的颗粒硒碲化合物籽晶，使光纤中无定型硒碲化合物纤芯与硒碲化合物籽晶严密贴合；再用波长大于300nm的激光，由光纤径向照射与硒碲化合物籽晶对接的光纤端面处；由于硒碲化合物晶体带隙在0.34～1.79eV之间，包层多组分磷酸盐玻璃紫外吸收波长小于300nm，照射光纤的激光将透过光纤包层而被纤芯无定型硒碲化合物吸收，无定型硒碲化合物被加热，使光纤中贴合籽晶的局部无定型硒碲化合物芯熔化，并在熔体与籽晶间形成温度梯度；而后向光纤另一端缓慢移动激光束；熔化的硒碲化合物冷却时，在硒碲化合物籽晶的诱导下，随籽晶生长成单晶态硒碲化合物；此过程连续进行，直到激光束移动到光纤另一端；最后在光纤中形成单晶态的硒碲化合物纤芯。

6.根据权利要求5所述的硒碲单晶复合光纤的制备方法，其特征在于：照射光纤的激光波长大于300nm，小于X值，随硒碲化合物中硒碲配比不同，X取值不同，硒碲化合物中硒重量比含量为100%时X值为690nm，硒碲化合物中硒重量比含量为0%时X值为3650nm。