[发明专利]RFLDMOS器件阵列版图中超深沟槽的排列方法在审
| 申请号： | 201410848305.8 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104465406A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡莹 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | rfldmos 器件 阵列 版图 深沟 排列 方法 | ||
【权利要求书】：
1.RFLDMOS器件阵列版图中超深沟槽的排列方法，所述超深沟槽用于填充金属，实现源端、沟道和衬底的连接，其特征在于，所述超深沟槽呈错位交叉排布。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超深沟槽呈品字交叉排布。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超深沟槽呈横竖交叉排布。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超深沟槽呈回旋交叉排布。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述超深沟槽的宽度为0.5～2微米。
6.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述超深沟槽之间的距离为1～2微米。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述超深沟槽之间的距离为1～2微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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