[发明专利]N型薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种N型薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：

提供一绝缘基底，在所述绝缘基底表面形成一半导体碳纳米管层；

形成间隔设置的一源极和一漏极，该源极和漏极分别与所述半导体碳纳米管层电连接；

形成一氧化镁层覆盖所述半导体碳纳米管层远离绝缘基底的表面；

通过原子层沉积法在所述氧化镁层远离所述半导体碳纳米管层的表面形成一功能介质层，所述功能介质层用于对所述半导体碳纳米管层电子掺杂，并隔绝空气中的氧气和水分子；以及

在所述功能介质层远离所述氧化镁层的表面形成一栅极与所述半导体碳纳米管层绝缘设置。

2.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在形成半导体碳纳米管层前进一步包括一对所述绝缘基底表面进行离子刻蚀，再利用氨丙基三乙氧基硅烷溶液处理绝缘基底使半导体碳纳米管层粘附于绝缘基底的表面。

3.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述绝缘基底表面形成半导体碳纳米管层包括如下步骤：

提供半导体性碳纳米管颗粒；

将所述半导体性碳纳米管颗粒与溶剂混合，得到一碳纳米管悬浮液；

将所述碳纳米管悬浮液中的碳纳米管颗粒沉积于所述绝缘基底的表面，形成一半导体碳纳米管层。

4.如权利要求3所述的N型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述半导体碳纳米管层中的多个半导体性碳纳米管颗粒形成一导电网络结构。

5.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述半导体碳纳米管层的厚度为0.5纳米-2纳米。

6.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述氧化镁层通过电子束蒸镀法形成于该半导体碳纳米管层的表面。

7.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述氧化镁层在所述半导体碳纳米管层的表面形成一连续的膜状结构，且所述氧化镁层的厚度为1纳米-15纳米。

8.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述功能介质层是通过原子层沉积法形成于氧化镁层远离半导体碳纳米管层表面，且覆盖所述氧化镁层远离绝缘基底的表面，所述原子层沉积的温度为120℃，所述功能介质层的厚度为20纳米-40纳米。

9.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述半导体碳纳米管层通过将自支撑结构的碳纳米管线或碳纳米管膜直接铺设于所述绝缘基底的表面形成。

10.如权利要求1所述的N型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在设置半导体碳纳米管层之前进一步包括一在所述绝缘基底的表面形成一氧化镁层的步骤，所述半导体碳纳米管层夹持于两层氧化镁层之间。

11.一种N型薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：

提供一绝缘基底，在所述绝缘基底表面形成一栅极；

在所述栅极远离绝缘基底的表面形成一栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层远离栅极的表面形成一半导体碳纳米管层；

形成间隔设置一源极及一漏极与所述半导体碳纳米管层电连接；

形成一氧化镁层覆盖所述半导体碳纳米管层远离栅极绝缘层的表面；

通过原子层沉积法在所述氧化镁层远离该半导体碳纳米管层的表面形成一功能介质层，所述功能介质层用于对所述半导体碳纳米管层电子掺杂，并隔绝空气中的氧气和水分子。