[发明专利]一种湿度传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种湿度传感器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底的表面绝缘；

湿敏材料和叉指电极薄膜层，其位于所述绝缘表面，湿敏材料和叉指电极薄膜层包括并行排布的湿敏材料和叉指电极，所述湿敏材料分布于所述叉指电极侧壁之间，且所述湿敏材料的侧壁与所述叉指电极侧壁相键联，湿敏材料和叉指电极的厚度一致；其中所述湿敏材料为所述叉指电极材料的氧化态；湿敏材料为氧化态，叉指电极通过将氧化态湿敏材料还原得到。

2.根据权利要求1所述的湿度传感器，其特征在于，所述湿敏材料为氧化石墨烯，所述叉指电极为石墨烯或还原的氧化石墨烯。

3.根据权利要求1所述的湿度传感器，其特征在于，所述湿敏材料和叉指电极薄膜层的厚度为1-100nm。

4.根据权利要求1所述的湿度传感器，其特征在于，所述衬底为绝缘衬底或为表面具有绝缘层的半导体衬底。

5.一种湿度传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤01：提供一表面绝缘的衬底；

步骤02：在所述绝缘表面形成一层氧化态湿敏材料；

步骤03：在所述湿敏材料表面形成叉指电极图案掩膜；

步骤04：在叉指电极图案掩膜的保护下，对所述湿敏材料进行还原工艺，在所述湿敏材料间形成叉指电极；其中，所述叉指电极图案掩膜遮挡住的所述湿敏材料部分未被还原，所述叉指电极图案掩膜暴露的所述湿敏材料部分被还原成叉指电极材料；

步骤05：去除所述叉指电极图案掩膜。

6.根据权利要求5所述的湿度传感器的制备方法，其特征在于，所述衬底为绝缘衬底或为表面具有绝缘层的半导体衬底。

7.根据权利要求5所述的湿度传感器的制备方法，其特征在于，所述氧化态湿敏材料为氧化石墨烯。

8.根据权利要求7所述的湿度传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤02中，所述氧化石墨烯被旋涂在所述绝缘表面，然后进行干燥处理。

9.根据权利要求7所述的湿度传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤04中，部分所述氧化石墨烯转变为石墨烯或还原的氧化石墨烯，从而形成所述叉指电极。

10.根据权利要求9所述的湿度传感器的制备方法，其特征在于，采用直接还原剂还原法、微波辅助还原法、或紫外辐照还原法将部分所述氧化石墨烯转变为石墨烯或还原的氧化石墨烯。