[发明专利]MOSFET被探测区探针数量计算方法及探针位置设计方法和探针卡生成方法

权利要求书

1.一种MOSFET被探测区探针数量计算方法，其特征是，包括以下步骤：

1)根据现有MOSFET产品被探测区的尺寸特点创建数据库，所述被探测区是源区和栅区；

2)设置探针与探针之间距离的最小值大于等于80um,探针与被探测区边缘的距离大于等于40um，当探针规格I_unit＝500ma时，探针针径为d＝55±5um，当探针规格I_unit＝1A时，探针针径为d＝100±5um；

3)根据待测产品的测试电流，测试电压，确定栅区探针的数量N_gate和源区探针的数量N_source；

N_gate值根据栅区的尺寸、探针之间距离以及探针与被探测区边缘的距离确定，N_gate小于等于2；

N_source＝A+B+C；

A是源区施加电流和电压的探针数量，I_max/I_unit＝A，I_max是被测产品的最大测试电流，I_unit是探针材料的电流规格；

B是余量探针数量,当I_unit的规格为500ma时，余量探针数为2；当I_unit的规格为1A时，余量探针数为1；

C是感应电流和电压的探针数量；

如果源区施加电流和电压的探针数量A小于等于2，感应电流和电压的探针数量C为1；

如果源区施加电流和电压的探针数量A大于2小于等于8，感应电流和电压的探针数量C为2；

如果源区施加电流和电压的探针数量A大于8小于等于20，感应电流和电压的探针数量C为4。

2.一种MOSFET被探测区探针位置设计方法，包括权利要求1所述方法的各步骤，其特征是，还包括以下步骤：

以各步骤下所有坐标均为同一坐标系下建立；

4)如果源区和栅区为方形，获取源区和栅区对角四点的坐标以及N_gate和N_source值，将N_source值分解因式得到X轴向探针数量X_source值和Y轴向探针数量Y_source值；

栅区的坐标获取方法及栅区探针位置确定采用以下方式：

条件1)栅区两对角点之间的水平方向的距离小于水平方向所有探针的内径和以及针与针的间距和两个边界值的总和，A点、B点为栅区两对角点；

条件2)栅区两对角点之间的垂直方向的距离小于垂直平方向所有针的内径和以及针与针的间距和左右两个边界值的总和；

条件3)栅区两对角点之间的对角线方向的距离小于对角线方向所有针的内径和以及针与针的间距和两个边界值的总和；

如果上述条件1)～3)同时满足，则N_gate值需为1，栅区的探针位置即为栅区中心点；

如果条件1)不满足，则按照平均分配原则，将栅区垂直边的中点处沿水平方向将栅区三等分，第一等分点为第一点坐标，第二等分点为第二坐标。

如果条件2)不满足，则按照平均分配原则，将栅区水平边的中点处沿垂直方向将栅区三等分，第一等分点为第一探针的坐标，第二等分点为第二探针的坐标；

如果条件3)不满足，则按照平均分配原则，将栅区沿对角线方向将栅区三等分，第一等分点为第一探针的坐标，第二等分点为第二探针的坐标；

源区的坐标获取方法及源区探针位置确定采用以下方式：

条件4)源区两对角点之间垂直方向的距离大于Y_source根探针内径和以及针与针的间距和左右两个边界值的总和；

条件5)源区两对角点之间水平方向的距离大于X_source根探针内径和以及针与针的间距和左右两个边界值的总和；

如果满足条件4)和5)条件，则将源区水平方向做X_source+1等分，垂直方向做Y_source+1等分，垂直方向和水平方向的等分线相交的点即为源区探针所在位置；

如果同时不满足条件4)和5)，则X_source＝X_source-1，Y_source＝Y_source-1,将运算后的X_source和Y_source的值后返回条件1)2)重新判定，直至满足条件，得到源区的探针位置坐标；

如果不满足条件4)，满足条件5)，则Y_source＝Y_source-1，X_source不变，将运算后的X_source和Y_source的值后返回条件1)2)重新判定，直至满足条件，得到源区的探针位置坐标；

如果满足条件4)，不满足条件5)，则X_source＝X_source-1，Y_source不变，将运算后的X_source和Y_source的值后返回条件4)5)重新判定，直至满足条件，得到源区的探针位置坐标；

5)如果源区和栅区圆形方形；

栅区为圆形，输入栅区中心点的坐标，以及栅区半径，结合N_gate，首先判定

条件6)圆形区域直径是否小于最小的尺寸要求，即栅区内径尺寸仅够一根针的情况，如果满足，则报出错信息，无法支持探针布局设计；

如果条件6)不满足，则判定条件7)栅区圆形区域直径是否小于N_gate根探针内径和以及针与针的间距和左右两个边界值的总和；

如果条件7)满足，则报出错信息，N_gate值为1，此时栅区的探针位置即为栅区圆心位置；如果条件2)

如果条件7)不满足，沿栅区圆直径的垂直方向或者水平方向将内径做N_gate+1等分，第一等分点为第一根探针的坐标位置，第二等分点为第二根探针的坐标位置；

源区形状为圆形，输入源区中心点的坐标，以及源区半径，结N_SOURCE值首先判定

条件条件8)源区圆形区域直径是否小于最小的尺寸要求，即源区内径尺寸仅够一根针的情况，如果满足，则报出错信息，无法支持探针布局设计；

如果条件8)不满足，则判定条件9)源区圆形区域直径是否小于N_SOURCE根探针内径和以及针与针的间距和左右两个边界值的总和；

如果条件8)满足，则报出错信息，调针N_SOURCE值调整为N_SOURCE-1，重新判定条件8)，如果条件8)不满足，则说明源区可以支持N_SOURCE根针的布局方案，沿源区圆直径的垂直方向或者水平方向将内直径做N_SOURCE+1等分，第一等分点为第一根探针的坐标位置，第二等分点为第二根探针的坐标位置，依此类推，直至完成N_SOURCE根探针的布局。

3.一种MOSFET被探测区探针卡生成方法，包括权利要求2的所有步骤，其特征是，还包括以下步骤：

6)利用VB宏语言的图表功能生成探针坐标版图。