[发明专利]液晶显示面板及其阵列基板在审

专利信息
申请号: 201410850807.4 申请日: 2014-12-30
公开(公告)号: CN104536223A 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 郝思坤 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1333
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 518000 广东省深圳市光明新区公*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示 面板 及其 阵列
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括基体以及形成于所述基体上的第一金属层、第一介电层、第二金属层、绝缘层、电极层,其中,所述第一金属层、所述第一介电层和所述第二金属层构成第一电容,所述第二金属层、所述绝缘层和所述电极层构成第二电容,所述电极层通过贯穿所述第一介电层和所述绝缘层的通道孔与所述第一金属层连接,以将所述第一电容和所述第二电容并联。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板进一步包括位于非显示区的移位寄存单元,所述第一电容和所述第二电容并联连接于所述移位寄存单元。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,沿垂直于所述基体的方向,所述第一金属层在所述基体上的投影区域的面积大于所述第二金属层在所述基体上的投影区域的面积,所述通道孔设置于所述第二金属层对应的投影区域之外。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置于所述基体上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极,所述栅电极与所述第一金属层同步形成,由所述源电极和所述漏电极组成的源漏电极层与所述第二金属层同步形成,所述源漏电极层与所述栅电极之间夹设的第一介电层,与所述第一电容的第一介电层同步形成。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括第一区域和第二区域,所述薄膜晶体管位于所述第一区域,所述电极层设置于所述第二区域的所述绝缘层上。

6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括形成于所述基体上的半导体层,所述半导体层和所述栅电极之间夹设有第二介电层,所述第一金属层设置于所述第二介电层上,所述源电极和所述漏电极均贯穿所述第一介电层和所述第二介电层并与所述半导体层连接。

7.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括形成于所述栅电极和所述源漏电极层之间的半导体层,所述半导体层和所述栅电极之间夹设有第二介电层,所述第一介电层夹设于所述半导体层和所述源漏电极层之间,所述源电极和所述漏电极均贯穿所述第一介电层并与所述半导体层连接。

8.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二金属层和所述源漏电极层与所述基体之间的距离相等。

9.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述栅电极与所述第一金属层的厚度相等,所述源漏电极层与所述第二金属层的厚度相等。

10.一种液晶显示面板,其特征在于,所述液晶显示面板包括上述权利要求1~9任意一项所述的阵列基板。

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