[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板的上方形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边区域，所述第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区域。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括：多晶硅半导体层，所述第二薄膜晶体管包括：金属氧化半导体层，所述金属氧化物半导体层的材料为非晶金属氧化物；

所述在所述衬底基板的上方形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的步骤具体包括：

在所述衬底基板的上方沉积一层非晶硅薄膜；

对所述非晶硅薄膜进行构图工艺，以在所述阵列基板的边缘区域形成非晶硅图形；

对所述非晶硅图形进行结晶工艺处理，以使所述非晶硅图形转化为多晶硅图形，所述多晶硅图形构成所述多晶硅半导体层；

在所述多晶硅半导体层和所述衬底基板的上方形成所述第一绝缘层；

在所述第一绝缘层的上方沉积一层非晶金属氧化物薄膜；

对所述非晶金属氧化物薄膜进行构图工艺，以在所述阵列基板的显示区域形成非晶金属氧化物图形，所述非晶金属氧化物图形构成所述金属氧化半导体层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括：多晶硅半导体层，所述第二薄膜晶体管包括：金属氧化半导体层，所述金属氧化物半导体层的材料为结晶金属氧化物；

所述在所述衬底基板的上方形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的步骤具体包括：

在所述衬底基板的上方沉积一层非晶硅薄膜；

对所述非晶硅薄膜进行构图工艺，以在所述阵列基板的边缘区域形成非晶硅图形；

在所述非晶硅图形和所述衬底基板的上方形成所述第一绝缘层；

在所述第一绝缘层的上方沉积一层非晶金属氧化物薄膜；

对所述非晶金属氧化物薄膜进行构图工艺，以在所述阵列基板的显示区域形成非晶金属氧化物图形；

对所述非晶硅图形和所述非晶金属氧化物图形进行结晶工艺处理，以使所述非晶硅图形转化为多晶硅图形，所述非晶金属氧化物图形转化为结晶金属氧化物图形，所述多晶硅图形构成所述多晶硅半导体层，所述结晶金属氧化物图形构成所述金属氧化物半导体层。

4.根据权利要求2或3中所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括：第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管还包括：第二栅极、第二源极和第二漏极；

形成金属氧化物半导体层的步骤之后还包括：

在所述金属氧化物半导体层和所述第一绝缘层的上方形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层的上方形成第一栅极和第二栅极，所述第一栅极位于所述阵列基板的周边区域，所述第二栅极位于所述阵列基板的显示区域；

在所述第一栅极、所述第二栅极和所述第二绝缘层的上方形成第三绝缘层；

在所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层上对应所述多晶硅半导体层的区域形成第一过孔，以及在所述第二绝缘层和所述第三绝缘层上对应所述金属氧化物半导体层的区域形成第二过孔；

在所述第三绝缘层的上方形成第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极通过所述第一过孔与所述多晶硅半导体层连接，所述第二源极和所述第二漏极通过所述第二过孔与所述金属氧化物半导体层连接；

在所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极和所述第三绝缘层的上方形成第四绝缘层，所述第四绝缘层上对应所述第一漏极的区域形成有第三过孔，所述第四绝缘层上对应所述第二漏极的区域形成有第四过孔；

在所述第四绝缘层的上方形成第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极通过所述第三过孔与所述第一漏极连接，所述第二像素电极通过所述第四过孔与所述第二漏极连接。