[发明专利]一种变频器专用自举驱动电路

说明书

技术领域

本发明涉及变频器技术领域，尤其是涉及一种变频器专用自举驱动电路。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(即IGBT)兼具电力场效应晶体管(MOSFET)和电力晶体管(BJT)的特点，使之在电力电子系统中得到了广泛的应用，特别是在变频技术行业。IGBT的使用关键在于设计合适的驱动电路。然而，变频器的IGBT中上下桥IGBT不能用同一路电源做驱动电源，就是因为这个原因因此变频器中至少需要4路独立的开关电源供电。

为了减少开关电源的数量，本发明提出了一种变频器专用自举驱动电路。

发明内容

本发明提供一种变频器专用自举驱动电路，以解决现有技术中的驱动电源过多的问题。

本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：

一种变频器专用自举驱动电路，包括上臂驱动电路、下臂驱动电路，以及分别与所述上臂驱动电路、下臂驱动电路相连接的IGBT1和IGBT2；

所述上臂驱动电路包括电阻R1、R2、R4，电容C1、C3，上臂驱动，电感L1，二极管D1、D3、D4；所述电阻R1、R2和D1串联并与上臂驱动的VCC引脚连接；所述上臂驱动的VCC引脚串接二极管D2后与IGBT1连接；所述上臂驱动的VO引脚与电阻R4的一端连接，所述电阻R4另一端与电感L1串接后与IGBT1连接；所述所述上臂驱动的VCC引脚与GND引脚之间设有电容C1，所述上臂驱动的VO引脚与GND引脚之间设有电容C3。

作为优选的技术方案，所述电容C1并联连接有电容C2。

作为优选的技术方案，所述电容C2为电解电容，所述电容C2的电容值为所述电容C1的10到100倍。

作为优选的技术方案，所述上臂驱动的VO引脚与电阻R3一端连接，所述电阻R3另一端与二极管D2串接后与IGBT1连接，以保证电路的稳定。

本发明具有的有益效果是：结构简单，通过设置的电容可以实现充电储能的作用，以减少独立开关电源的供电。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施方案或现有技术中的技术方案，下面将对实施方案或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方案，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明：一种变频器专用自举驱动电路的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。

参照图1所示，一种变频器专用自举驱动电路，包括上臂驱动电路、下臂驱动电路，以及分别与所述上臂驱动电路、下臂驱动电路相连接的IGBT1和IGBT2；

所述上臂驱动电路包括电阻R1、R2、R4，电容C1、C3，上臂驱动，电感L1，二极管D1、D3、D4；所述电阻R1、R2和D1串联并与上臂驱动的VCC引脚连接；所述上臂驱动的VCC引脚串接二极管D2后与IGBT1连接；所述上臂驱动的VO引脚分别与电阻R3和R4的一端连接，所述电阻R3另一端与二极管D2串接后与IGBT1连接，所述电阻R4另一端与电感L1串接后与IGBT1连接；所述所述上臂驱动的VCC引脚与GND引脚之间设有电容C1，所述上臂驱动的VO引脚与GND引脚之间设有电容C3。

为增加储能的需要，所述电容C1并联连接有电容C2。其中，所述电容C2为电解电容，所述电容C2的电容值为所述电容C1的10到100倍。

当变频器运行时，下桥驱动打开，这样IGBT2导通，电源P16F就会通过给电容C2充电。此时上桥驱动电路由于电解电容C2的储能作用，就相当于有电源一样。当上桥驱动打开时，IGBT1导通此时U点带电，但由于二极管D2的高反向耐压特性，因此高压电源不会引入到P16F电源上。

本发明通过设置的电容可以实现充电储能的作用，以减少独立开关电源的供电。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。